Cтраница 1
![]() |
Схема ключа с.| Схема ключа с запирающим смещением от коллекторного напряжения. [1] |
Запирающее смещение в базе позволяет существенно снизить время выключения транзисторного ключа. [2]
Если запирающее смещение на входе триода TI мало ( Eg / Ro Ic - H. OI), то отключение иагрузли будет происходить практически cipaay же, как только триод Т3 выходит из состояния насыщения. [3]
Расчет запирающего смещения по (1.53) может дать увеличенное значение напряжения по тем же причинам, которые обусловили погрешность в определении формы токов. Однако уточнять расчеты, учитывая сопротивление утечки вряд ли целесообразно, так как эти параметры транзистора обычно не контролируются и не приводятся в качестве справочных данных. [4]
Полярность запирающего смещения совпадает со знаком заряда основных носителей в канале, так как только одноименный заряд на затворе способен вытеснить основные носители из канала. [5]
Параметры источника запирающего смещения ( Е и R) следует рассматривать совместно. Действительно, ток срыва определяется не каждым из них в отдельности, а их отношением. При заданном Е гистерезис проявляется при таких значениях R, при которых отношение EIR лежит в пределах рассматриваемых значений тока. [6]
Усилитель-расширитель обычно работает без запирающего смещения. В этом случае при запирании транзистора ослабляется действие входного сигнала и тем самым снижается уровень накопления. Кроме того, ток источника смещения после воздействия импульса способствует быстрому рассасыванию избыточных носителей, что также нежелательно, так как сокращается длительность выходного импульса. [7]
С какой стороны подходит вольтамперная характеристика при запирающем смещении в базу к прямой u Ua, с положительным или отрицателышм дифференциальным сопротивлением, зависит от того, при каком напряжении транзистор перешел в активный режим, открылся ли его эмиттер при напряжении, меньшем Ua или большем. [8]
![]() |
Принципиальная схема устройства выдержки времени.| Временные диаграммы процессов в устройстве выдержки времени. [9] |
При закрытом диоде Д2 транзистор IJUi получает положительное запирающее смещение на базу с диода Д3, по которому протекает в пропускном направлении ток от источника 8 в через сопротивление R3 к земле. [10]
![]() |
Расчетная зависимость U 30 - f ( Un и результаты эксперимента ( точки для маломощного полевого транзистора. [11] |
Снижение величины напряжения отсечки позволяет уменьшить величину напряжения запирающего смещения в ключевых схемах на полевых транзисторах. [12]
Показанное на схеме рис. 11 - 21, а запирающее смещение t / CM не является обязательным, но позволяет повысить надежность работы элемента и его быстродействие. [13]
Для повышения надежности транзистора в условиях эксплуатации рекомендуется применять запирающее смещение, не превышающее 1 В. [14]
Блокинг-генератор часто работает в ждущем режиме, обеспечиваемом введением запирающего смещения в цепь управляющего электрода. [15]