Запирающее смещение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Правила Гольденштерна. Всегда нанимай богатого адвоката. Никогда не покупай у богатого продавца. Законы Мерфи (еще...)

Запирающее смещение

Cтраница 4


46 Феррит-транзисторная ячейка с отрицательной обратной связью. [46]

Включение параллельно сопротивлению R3 емкости позволяет существенно повысить быстродействие схемы, так как в момент переключения по цепи база - эмиттер протекает большой емкостный ток ( гл. Время рассасывания уменьшается также в результате введения запирающего смещения в цепь базы.  [47]

48 Микросхема транзисторной логики с переменным порогом. [48]

На рис. 7.19 показана схема элемента ППТЛ. В этой ИМС помехоустойчивость для логического 0 определяется запирающим смещением 1 / см, создаваемым перепадом напряжения на резисторе R2 коллекторным током транзистора Тз.  [49]

В цепях автоматики применяют фотодиоды в режиме с внешним запирающим смещением, которое преодолевается при освещении прибора.  [50]

При подключении питания емкость Ск заряжается через сопротивление RK. Транзистор находится в запертом состоянии, так как на базу подано запирающее смещение.  [51]

Устройство индикации представляет собой эмиттерный повторитель, уменьшающий влияние индикаторов на работу универсального УЗВ в режиме записи за счет высокого входного сопротивления. Делитель 1R22 ( 2R22), 1R23 ( 2R23) создает запирающее смещение на базе. Потенциометром 1R2I ( 2R21) регулируется чувствительность индикатора. Конденсатор / С / 9 ( 2С19) определяет временные характеристики индикатора. Конденсатор / С / 8 ( 2С18) служит для уменьшения влияния проникающего на вход индикаторов напряжения ВЧ подмагничивания. В режиме воспроизведения на индикатор через переключатель S15 ( контакты / и 2) поступает сигнал от УКУ для контроля перегрузок по выходной мощности.  [52]

53 Схемы усилителей-формирователей коротких импульсов с емкостным контуром в цепях базы ( а и эмиттера ( б. [53]

В первой схеме укорочение импульса производится при помощи конденсатора Сс в цепи базы. Резистор R, сопротивлением порядка нескольких килоом, служит для подачи запирающего смещения на базу транзистора, а диод Д способствует быстрой разрядке конденсатора Со после окончания входного импульса, благодаря чему уменьшается величина динамического смещения, способного ослаблять действие последующих входных импульсов.  [54]

Режим С отличается от режима В тем, что отсечка коллекторного ( анодного) тока имеет длительность более половины периода. Это обеспечивается подачей на входной электрод транзистора или на управляющую сетку лампы запирающего смещения соответствующей величины. Используется режим С в высокочастотных каскадах передатчиков.  [55]

На рис, 10.5 показан возможный вариант бестрансформаторной схемы триггера, управляемого отрицательными импульсами. С помощью диода Д0 и резистора R0 на переходе / t создается дополнительное запирающее смещение, что повышает надежность сохранения состоя-смещение, что повышает надежность сохранения состоя-рающего и запирающего импульсов.  [56]

Хотя в игнитронах можно управлять моментом включения посредством зажигателя, нечеткость в работе последнего заставляет в мощных игнитронах так же, как и в экситронах применять управляющую сетку ( или две сетки), расположенную вблизи анода и сделанную, как и анод, из графита. В непроводящем состоянии вентиля сетка имеет отрицательный потенциал по отношению к катоду, создаваемый источником запирающего смещения, чем исключается возникновение самостоятельного дугового разряда между анодом и катодом, и вентиль не проводит ток.  [57]

Защита от этого выброса напряжения обеспечивается De. Тот же ток проводится с помощью De к базе транзистора, где он используется для запирающего смещения Тх и предотвращения выходного выброса.  [58]

59 Выходные ( а, входные ( б и передаточная ( в характеристики транзистора. [59]

Расчет транзисторных логических схем с непосредственными связями, ввиду отсутствия базовых цепей смещения, связан с рядом технических трудностей. Последнее обстоятельство приводит к появлению значительных токов утечки ( к вакр) закрытых транзисторов ( по сравнению со схемами, содержащими цепи запирающего смещения), которые могут превышать обратные токи / ко в несколько раз. Аналитическое определение токов утечки по уравнениям Эберса-Молла затруднительно.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5