Cтраница 1
Снижения теплового сопротивления добиваются выбором оптимальной конструкции прибора и охладителя, а также мероприятиями, направленными на исключение неравномерного распределения тока по площади полупроводникового элемента. [1]
Снижение тепловых сопротивлений дает возможность повысить и тепловую устойчивость приборов схеме. Кроме этого, выпуск специально разработанного теплоотвода дает возможность повысить их эффективность применения. [2]
![]() |
Тепловая модель прибора таблеточной конструкции в режиме постоянного тока. [3] |
Меры по снижению теплового сопротивления между корпусом и охладителем оказывают существенное влияние на улучшение теплового режима полупроводникового прибора. Так, например, для транзистора, собранного на корпусе ТО-3, значение RK-0 может меняться от 0 1 С / Вт ( в случае отсутствия изолирующей прокладки и использования теплопроводящей смазки) до значения 2 С / Вт. [4]
Расширение теплового потока приводит к некоторому снижению теплового сопротивления [ R. Что же касается более грубых оценок, то для них можно воспользоваться выражениями ( 4 - 1) и ( 4 - 2), если есть какая-то возможность установить приближенно расходимость теплового потока. [5]
На рис. 8 - 3 в представлены зависимости снижения теплового сопротивления при принудительной конвекции от скорости потока воздуха для постоянной мощности 2 вт. [6]
Увеличение скорости потока воздуха свыше 6 м / с менее эффективно с точки зрения снижения теплового сопротивления и не рекомендуется также из-за возрастания шума. [8]
Транзисторы V8, V9 необходимо установить на теплоотводы с эффективной поверхностью охлаждения не менее 600 см2, при этом желательно использовать любые известные методы снижения теплового сопротивления между теплротводом и корпусом транзистора. Теплоотводы нужно чернить и монтировать вне футляра прибора так, чтобы была обеспечена беспрепятственная конвекция воздуха. [9]
В этих случаях для обеспечения электрической изоляции между корпусом транзистора и шасси или радиатором транзисторы крепят на шасси или радиаторе через слюдяную прокладку толщиной порядка 0 05 мм, которую для снижения теплового сопротивления полезно с обеих сторон смазать кремнеорганическим соединением. Но прокладка все же ухудшает охлаждение транзисторов и уменьшает надежность схемы из-за возможности ее разрушения и пробоя. [10]
В этих случаях для обеспечения электрической изоляции между корпусом транзистора и шас-си или радиатором транзисторы крепят а шасси или радиаторе через слюдяную прокладку толщийой порядка 0 05 мм, которую для снижения теплового сопротивления полезно с обеих сторон смазать кремнеоргавическим соединением. Но прокладка все же ухудшает охлаждение транзисторов и уменьшает надежность каскада из-за возможности ее разрушения и пробоя. [11]
![]() |
Варианты теплоотвода. [12] |
Для уменьшения контактных тепловых сопротивлений применяют покрытия соединяемых металлов кадмием, оловом и теплопроводя-щими пастами. Снижение теплового сопротивления корпуса блока достигается использованием ребристой структуры и покрытием, наружной поверхности краской с высокой степенью черноты. [13]
Транзисторы прочно крепятся к теплоотводящей панели с хорошо пришлифованной поверхностью при помощи винтов или крепежного фланца. Для снижения теплового сопротивления между корпусом транзистора и шасси контактирующие поверхности рекомендуется смазать невысыхающим маслом либо транзистор припаять к шасси припоем с температурой плавления не выше - J-12015 С. [14]
Для того чтобы изолирующие прокладки заметно не ухудшали условий теплоотдачи, их толщина не должна превышать нескольких десятков микрон. Для снижения теплового сопротивления изолирующих прокладок они должны плотно прилегать к поверхности транзистора и корпусу теплоотвода. В этом отношении известное предпочтение отдается пленкам из различных лаков и смол. Так, например, при применении смол на эпоксидной основе оказывается возможным получить для транзисторов типа П210 тепловое сопротивление между их корпусом и теплоотводом порядка 0 3 - 0 4 С / вт. [15]