Снижение - тепловое сопротивление
Cтраница 2
Такое решение способствует лучшему охлаждению за счет снижения теплового сопротивления и позволяет значительно повысить рабочую частоту и производительность процессоров. Работы в направлении совершенствования систем обеспечения оптимальных температурных режимов электронных элементов ведутся многими исследовательскими лабораториями. И системы охлаждения, предусматривающие использование термоэлектрических модулей Пельтье, считаются чрезвычайно перспективными. [16]
Максимальная средняя мощность накачки и длительность работы, допустимые для таких типов излучателей, во многом определяются интенсивностью теплоотвода от внешней поверхности отражателя. Так как основным ограничением в этом случае является нагрев активной среды, то при конструировании необходимо предусматривать снижение теплового сопротивления между внешней поверхностью и активным элементом, а также увеличение сопротивления относительно лампы, что в моноблочных отражателях [89] достигается соответствующим подбором зазоров вокруг активного элемента и лампы. [17]
Во-первых, сильно увеличиваются размеры аппарата ( даже в вертикальном исполнении) за счет применения толстого слоя теплоизоляции, а также вследствие необходимости увеличения междузонного расстояния для размещения больших холодильников. Последнее обусловливается тем, что в области низких температур плотность теплового потока не может быть увеличена в необходимой степени для создания достаточного температурного градиента на фронте кристаллизации за счет разности температур слитка и холодильника; снижение теплового сопротивления за счет уменьшения зазора между контейнером и холодильником и за счет уменьшения толщины стенок контейнера также имеет свои пределы. [18]
Исследования показали, что тепловое сопротивление столбиков и шариков незначительно. Для снижения теплового сопротивления при установке кристаллов на ситалловые подложки диаметр шариков и столбиков или сечение балочных выводов следует делать по возможности большими. [19]
Рассеиваемая диодом мощность в рабочем режиме не должна превышать максимально допустимой рассеиваемой мощности Рмакс, являющейся одним из параметров предельно допустимого эксплуатационного режима работы прибора. Чтобы не превышать предельно допустимую температуру электрического перехода диода, Рмакс с повышением температуры окружающей среды должна быть уменьшена. Увеличение максимально допустимой мощности, рассеиваемой диодом, должно сопровождаться снижением теплового сопротивления корпус прибора-окружающая среда, что реализуется, как правило, применением радиаторов. [20]
Для радиаторов применяют материалы, обладающие хорошей теплопроводностью и малым удельным весом. Ребристые и штырьевые радиаторы изготавливают литьем или фрезерованием из сплошной заготовки. Чтобы увеличить теплоотдачу излучением поверхность радиатора окрашивают темной матовой краской или подвергают травлению и оксидированию с добавкой черного красителя Для снижения теплового сопротивления контакта RK рекомендуется обрабатывать поверхность радиатора, контактирующую с полупроводниковым прибором, с чистотой не ниже у 6; на контактную поверхность следует наносить вязкие вещества с хорошей теплопроводностью. [21]
Практически удельное тепловое сопротивление изоляции кабеля колеблется в широком диапазоне. На величину удельного теплового сопротивления влияет целый ряд факторов. Чем хуже высушен кабель во время производства, тем меньше его тепловое сопротивление. Плотная намотка бумажной изоляции также дает снижение теплового сопротивления и улучшение электрических характеристик. С увеличением температуры и повторяемости циклов нагрева кабеля величина теплового сопротивления падает. [22]
Прежде всего в мощных транзисторах следует стремиться к увеличению их допустимой мощности рассеяния. Для обеспечения этого требования необходимо, чтобы транзисторная структура и в первую очередь те ее области, где происходит в основном выделение тепла, допускали нагрев до достаточно высоких температур. С этой точки зрения германиевые транзисторы уступают кремниевым, так как благодаря большей ширине запрещенной зоны в приборах, изготовленных на основе кремния, транзисторная структура допускает нагрев до более высокой температуры. Кроме того, для увеличения допустимой мощности рассеяния необходимо стремиться к снижению теплового сопротивления транзистора, так как величина допустимой мощности рассеяния при прочих равных условиях обратно пропорциональна тепловому сопротивлению. [23]
Приведенные положения о строении полимеров показывают, что в их структуре по сравнению со структурой низкомолекулярных веществ имеются существенные отличия. Теплоперенос от одного структурного элемента к другому в этом случае осуществляется путем медленного трансляционного, вращательного или колебательного движения некоторой гипотетической единицы полимерной цепи, ответственной за теплофизику полимера. Температурная зависимость теплопроводности полимеров в известной мере подтверждает эти положения. Так, например, с возрастанием температуры увеличиваются тепловые флуктуации макромолекул, и обусловленное этим снижение теплового сопротивления связей ведет к повышению теплопроводности полимера. Повышение теплопроводности прекращается ло достижении температуры стеклования полимера. [24]
 |
Конструкция монтажа транзистора в корпусе ТО-247 ( а и размеры столбика, передающего тепло к радиатору ( б.| Электрическая схема, соответствующая передаче тепла от транзистора. [25] |
Проведем расчет перепада температур в конструкции, показанной на рис. 27.2. Транзистор в корпусе ТО-247 смонтирован на алюминиевом столбике ( бобышке), который, в свою очередь, укреплен на массивном радиаторе. Последний воспринимает мощность от нескольких других электронных приборов, входящих в состав данного преобразователя. Требуемая электрическая изоляция между транзистором и столбиком может быть выполнена с помощью различных материалов, которые должны иметь к тому же хорошую теплопроводность. Выводы транзистора припаиваются к печатной плате, на которой располагаются и другие компоненты. Столбик и радиатор между собой соединяются винтами или каким-то другим способом, а для снижения теплового сопротивления перехода между ними используется специальная паста. Задача ставится следующим образом: известна мощность, выделяемая в транзисторе, и температура поверхности радиатора. Необходимо определить температуру кристалла при этих условиях. [26]
Страницы: 1 2