Снижение - высота - потенциальный барьер
Cтраница 1
 |
Модель двойного электрического слоя на поверхности металлического кристалла. [1] |
Снижение высоты потенциального барьера по мере увеличения напряженности электрического поля называется эффектом Шотки. [2]
 |
Зависимость результирующей потенциальной энергии от расстояния между взаимодействующими поверхностями. [3] |
Снижения высоты потенциального барьера, как видно из формулы для определения расклинивающего давления, можно достичь либо увеличением концентрации ионов с в электролите и утонением диффузного слоя 8 у поверхности частиц ( 61 / к), либо уменьшением ( нейтрализацией) потенциала поверхности j) i в результате специфической адсорбции на ней потенциалопределяющих ионов. [4]
В результате происходит снижение высоты потенциального барьера коллекторного перехода, а следовательно, увеличение обратного тока этого перехода. [5]
Возрастающее сеточное напряжение стремится повысить анодный ток ( за счет снижения высоты потенциального барьера в околокатодной области), а падающее анодное напряжение препятствует этому ( за счет повышения высоты потенциального барьера) - реакция анода. Чем больше сопротивление Ra, тем сильнее изменяется анодное напряжение - при изменении сеточного, тем сильнее реакция анода, тем меньше изменение анодного тока, тем более полого проходит нагрузочная управляющая характеристика. [6]
 |
Характеристики пентода при различных напряжениях на третьей сотке.| Зависимости токов от напряжения на третьей сетке. [7] |
Количество возвращающихся и колеблющихся около второй сетки электронов становится меньше, что ведет к снижению высоты потенциального барьера в околокатодной области и увеличению катодного тока. В области режима возврата увеличение напряжения ие3 сильно увеличивает коэффициент а-поэтому анодный ток резко возрастает, а ток. [8]
Объясняется это тем, что при увеличении тока должно возрастать количество электронов, покидающих катод, а это возможно при снижении высоты потенциального барьера у катода. Для того чтобы барьер снизился, требуется большее число ионов, а для этого необходимо увеличить число ионизации, что возможно при увеличении напряжения иа. [9]
Это выражение получено в предположении параболической зависимости энергии электрона от волнового вектора и не учитывает: зависимость эффективной массы электрона от энергии под потенциальным барьером в запрещенной зоне двуокиси кремния; тепловое размытие распределения электронов по энергии в металлическом или полупроводниковом электродах; снижение высоты потенциального барьера за счет влияния сил зеркального изображения. Учет этих факторов существенно усложняет аналитическое описание зависимости плотности туннельного тока от напряженности электрического поля на инжектирующей границе раздела, не приводя, однако, к значительным изменениям общего вида зависимости. [10]
 |
Потенциальные диаграммы бездрейфового транзистора p - n - р тша при отсутствии ( а и наличии ( б внешнего электрического поля. [11] |
При включении транзистора во внешнюю цепь с указанной на рис. 2.2, б полярностью напряжения высота потенциального барьера эмиттерного перехода снижается, а коллекторного - возрастает, что обусловлено соответствующим смещением p - n - переходов. Снижение высоты потенциального барьера эмиттерного перехода вызывает инжекцкю дырок через этот переход, и их концентрация в базовой области у эмиттерного перехода возрастает. [12]
 |
Схема, показывающая деформацию. [13] |
Приложение внешнего напряжения т создает усилие, действующее на каждую молекулярно-кинетическую единицу, равное т ( А 2Я3), так как ( Я2Я3) - это средняя величина площадки, приходящейся на каждую единицу. Таким образом, действие внешней силы эквивалентно снижению высоты потенциального барьера в направлении действия силы на величину А. [14]
Силы отталкивания двойных слоев и силы притяжения Ван-дер - Ваальса между двумя дифильными частицами приводят к образованию потенциального барьера между частицами. Скорость флоккуляции при этом экспоненциально уменьшается при снижении высоты потенциального барьера. Существуют, однако, и другие системы, в которых проблема стабильности не решается так просто. Например, эмульсии типа в / м при умеренных концентрациях всегда флоккулируют, хотя теория предсказывает для этого случая существование высокого потенциального барьера. [15]
Страницы: 1 2