Cтраница 2
![]() |
Зависимости токов za и ig от напряжения Ug в тиратроне. [16] |
Сначала на сетку подается большое отрицательное напряжение и устанавливается некоторое значение напряжения ыа, которое меньше напряжения зажигания, при этом токи равны нулю. Затем отрицательное напряжение на сетке уменьшается, что ведет к снижению высоты потенциального барьера у катода. [17]
![]() |
Прямое включение р-п перехода. [18] |
В э ом случае источник включается так, что поле, создаваемое внешним напряжением в р-п переходе, направлено навстречу собственному полю р-п перехода. Такое включение называют прямым. Оно приводит к снижению высоты потенциального барьера. Основные носители заряда получают возможность приблизиться к контакту, скомпенсировав заряд примесей. Поэтому ширина р-п перехода уменьшится. Из рис. 3.5, б видно, что для этого случая уровень Ферми в - области поднимается, а в р-области опускается. [19]
![]() |
Зависимость коэффициентов передачи от тока тиристора при комнатной температуре. [20] |
Быстрое нарастание тока на этом этапе объясняется увеличением суммы коэффициентов передачи до значений, превышающих единицу за счет возрастания коэффициента qtj. Повышение коэффициента ах обусловлено увеличением тока через прибор до значений порядка сотен миллиампер, характерных для конца этапа задержки. На регенеративном этапе происходит снижение высоты потенциального барьера коллекторного перехода за. [21]
В более концентрированных растворах ф значительно превышает g - потенциал. При высоких концентрациях едкого натра ф-потенциал настолько велик, что нарушение агрегативной устойчивости системы осуществляется уже по концентрационному механизму, за счет сжатия двойного электрического слоя. Поэтому увеличение - потенциала и повышение, соответственно, величины сил отталкивания не компенсирует снижение высоты потенциального барьера за счет сжатия двойного слоя. Следовательно, максимальная устойчивость системы соответствует не максимальным, а несколько меньшим величинам - потенциала. [22]
Частицы в этом случае могут беспрепятственно сближаться в результате броуновского движения и коагулировать в ближнем ( первичном) минимуме. Поскольку глубина первичного минимума, как правило, много больше kT, то агрегация в ближней яме необратима. Отсюда видно, что добиться коагуляции при отсутствии глубокого вторичного минимума можно за счет снижения высоты потенциального барьера до значений, соизмеримых с энергией броуновского движения частиц. Это достигается, например, увеличением концентрации электролита, которое приводит, с одной стороны, к сжатию ДЭС и тем самым к снижению высоты барьера и к его смещению в сторону поверхности, а с другой - к уменьшению ipi - потенциала частиц. Оба эти эффекта снижают энергию отталкивания. Первый случай - так называемая концентрационная коагуляция - характеризуется высоким значением фгпотенциала не только в исходном, но и в критическом состоянии системы: она имеет место при добавлении к дисперсии 1 - 1-зарядных электролитов. Второй случай - нейтрализационная коагуляция - обусловлена либо снижением величины г) 1 -потенциала частиц до весьма низких значений в результате адсорбции многозарядных противоионов, либо десорбцией с поверхности частиц потенциалопределяющих ионов. Механизм коагуляции реальных золей, по-видимому, смешанный, с преобладанием - в зависимости от условий - концентрационного или нейтрализационного эффекта. [23]
Включение управляющим током заключается в следующем. Если к тиристору приложить положительное напряжение, не вызывающее его включения, то у центрального перехода образуется объемный заряд, смещающий p - n - переход / 2 в обратном направлении. Сумма коэффициентов ах - f - a2 меньше единицы, и через тиристор проходит небольшой ток. При подаче в цепь управляющего электрода положительного импульса Тока происходит снижение высоты потенциального барьера эмиттерного перехода / 3, что увеличивает инжекцию электронов этим переходом в область базы р-типа. Электроны, увлекаемые полем объемного заряда коллекторного перехода / 2, перебрасываются через него в область базы и-типа. [24]
![]() |
Зависимость величины lg / от обратной температуры для 0 1 М раствора NaCl при различных потенциалах поляризации. [25] |
А - эффективная энергия активации данной электрохимической реакции; R - газовая постоянная. Связь между наклоном прямых на рис. 121 и величиной перенапряжения Де показывает, что электрическое поле в приэлектродном слое благоприятствует течению электрохимической реакции. Электрическое поле в приэлектродном слое притягивает к электроду ионы хлора. Пробег ионов хлора через приэлектродный слой сообщает им дополнительную энергию. Наличие этой дополнительной электрической энергии у ионов равносильно снижению высоты потенциального барьера. В результате, действие электрического поля в приэлектродном слое ведет к эффективному снижению энергии активации. Однако подобная зависимость эффективной энергии активации от потенциала поляризации Де наблюдается не при всех процессах электролиза. [26]
Другой аргумент в пользу разряда анионов через катионные мостики, когда Ф г) 0, вытекает из температурной зависимости тока в минимуме на (, ср-кривой. Поскольку в этой точке ( д In Идрфм) т - ( д In i / d ( f) r 0, то в соответствии с уравнениями (49.18) - (49.20) в минимуме i, ф-кривой А W. В первом случае скорость реакции возрастает с температурой, хотя и значительно медленнее, чем этого можно было бы ожидать для реакции, контролируемой скоростью разряда. Во втором случае скорость реакции падает с ростом температуры. Этот результат можно объяснить разрушением катионных мостиков с ростом температуры, что эквивалентно уменьшению поверхностной концентрации реагирующих анионов при размазывании заряда по внешней плоскости Гельмгольца. Таким образом, регистрируемая энергия активации W по существу является эффективной величиной, отражающей сумму двух противоположных эффектов: ускорения стадии разряда за счет снижения высоты потенциального барьера и уменьшения скорости в результате сдвига истинного значения в отрицательную сторону при разрушении катионных мостиков. При разряде анионов S2OJT в присутствии Na преобладает первый эффект, а на фоне Cs - второй. [27]