Cтраница 1
![]() |
Снятие вольтамперных характеристик терморезистора. [1] |
Снятие вольтамперных характеристик имеет свои особенности, обусловленные инерционностью ТР и наличием отрицательного участка на его вольтамперной характеристике. [2]
Для снятия вольтамперной характеристики следует поставить переключатели в положение / и, изменяя напряжение источника от 0 до 1 в ( через интервалы 0 1 в), следить за изменениями величины прямого тока. [3]
Для снятия вольтамперной характеристики необходимо изменять величину тока, проходящего через терморезистор. [4]
Для снятия вольтамперной характеристики газотрона применяется схема, аналогичная схеме рис. 8.6 а, с добавлением цепи накала. Если к газотрону подведено напряжение, которое меньше напряжения зажигания, то он ведет себя как обычный вакуумный диод. После наступления зажигания ( и3 - - 15 0) возникает несамостоятельный дуговой разряд и в газотроне образуется большое количество положительных ионов, которые, скапливаясь вблизи катода, нейтрализуют отрицательный заряд электронов, вследствие чего снижается высота потенциального барьера. [6]
![]() |
Схема исследования полупроводникового диода.| Основные данные плоскостных полупроводниковых диодов. [7] |
Для снятия вольтамперной характеристики полупроводникового диода может быть использована схема, приведенная на рис. 6.1. Элементы схемы в значительной степени определяются типом исследуемого диода. [8]
![]() |
Схема измерения емкости дио - резонанс при какой - ЛИ-да куметром бо фиксированной емкос. [9] |
При снятии вольтамперной характеристики по этой схеме следует учитывать разогрев, вызываемый мощностью, выделяемой на транзисторе, что приводит к искажению характеристики. Особенно это следует учитывать при снятии характеристик транзисторов большой мощности. [10]
![]() |
Контактное приспособление для проверки вольтамперных характеристик. [11] |
Установка для снятия вольтамперных характеристик и контроля статического коэффициента передачи тока состоит из стола и скафандра, приспособления для проверки вольтамперных характеристик и электрического блока. Стол и скафандр являются основанием установки для снятия вольтамперных характеристик, а блоки электрической схемы размещены под скафандром. [12]
Схемы для снятия вольтамперных характеристик активных и пассивных двухполюсников имеют в своем составе одни и те же элементы: источник гармонического напряжения и резистор шунта, однако из-за традиционного расположения обеих характеристик в первом квадранте построение схем несколько отличается. [13]
![]() |
Возникновение релейного эффекта при изменении напряжения цепи.| Прямой и обратный релейные эффекты при изменении окружающей температуры. [14] |
Второй метод снятия вольтамперной характеристики ТР основан на изменении величины добавочного сопротивления R. Чтобы в цепи не произошло релейного эффекта, приложенное напряжение должно быть достаточно большим. [15]