Снятие - вольтамперная характеристика
Cтраница 4
 |
Принципиальная схема ( а и вид передней панели ( б измерительной установки. [46] |
R позволяет снимать вольтамперную характеристику ТР и наблюдать релейный эффект. Сопротивление R подключается к специальным зажимам. В цепи предусмотрены гнезда для подсоединения вольтметра V и миллиамперметра пгА при снятии вольтамперной характеристики. При исследовании релейного эффекта переключатель П ставится в положение релейный эффект. [47]
М-15 класса 0 5, необходим при снятии вольтамперной характеристики неоновой лампы. Сопротивлением R служит или высокоомный магазин сопротивлений типа МСВ, являющийся эталоном, или какое-либо неизвестное сопротивление Rx, величина которого подлежит определению. МЕ-3, являющийся эталоном, или искомая емкость Сх. При снятии вольтамперной характеристики неоновой лампы рубильник К2 разомкнут. [48]
Подобрав элементы схемы, соединяют их между собой в соответствии с рис. 6.1. После проверки собранной схемы, приступают к ее опробованию. Движок потенциометра R устанавливается в такое положение, при котором к измерительной части схемы не будет подаваться напряжение. Вначале опробуют схему при прямом напряжении, приложенном к диоду. Верхний предел измерения напряжения вольтметра должен быть порядка 1 - 3 в. Затем осторожно передвигают движок потенциометра, увеличивая напряжение, подаваемое на диод. Одновременно следят за величиной прямого тока диода, которая должна изменяться в пределах, достаточных для снятия вольтамперной характеристики. Если величина подводимого к диоду напряжения изменяется очень резко, то нужно подобрать потенциометр с другим значением сопротивления. После этого движок потенциометра R снова устанавливают в положение нуля. Шкала вольтметра должна быть рассчитана на измерение напряжения порядка 30 в. Затем постепенно увеличивают обратное напряжение, приложенное к диоду, и следят за показаниями микроамперметра. Величина обратного тока должна изменяться незначительно и не должна превышать допустимого для данного диода значения. Опробование схемы производят для двух-трех диодов, подлежащих исследованию. [49]
Страницы: 1 2 3 4