Лазерный диод

Cтраница 2

Конструкция лазерного диода с теплоотводящими пластинами.| Конструкция лазерного диода в герметизированном корпусе ( а и генерационные характеристики ( б лазерных диодов различных типов. гомоструктурного ( / и гетероструктурного с односторонним ( 2 н двусторонним ( J ограничением. [16]

Порог генерации лазерных диодов зависит от геометрии активной области, поэтому вместо понятия порогового тока часто пользуются понятием плотности порогового тока. [17]

Отличительной особенностью гетероструктурных лазерных диодов является возможность изменения длины волны излучения путем варьирования концентрацией примесного алюминия. Так, при изменении концентрации А1 в структуре Al Gai As в пределах от 0 до 40 % длина волны излучения смещается с 0 905 до 0 600 мкм. Но одновременно с этим увеличивается и пороговый ток, сначала очень медленно до А 0 8 мкм, а затем несколько быстрее. [18]

Конструктивная схема ПКГ Комета-1. [19]

Криостат с лазерным диодом и генератор импульсов тока размещены в едином металлическом корпусе 12 ( рис. 28), габаритные размеры которого составляют 170x110X200 мм. На передней стенке прибора расположено окно с двухлинзовым объектом 13, служащим для формирования лазерного луча. На верхней стороне прибора располагается панель управления и отверстие для заливки жидкого азота. [20]

Инжекционный лазер ( лазерный диод) излучает свет, когда через р - n - переход полупроводника проходит большой ток. [21]

Структура записи компакт-диска. [22]

Во время воспроизведения лазерный диод небольшой мощности светит инфракрасным светом с длиной волны 0 78 микрон на сменяющиеся впадины и площадки. Лазер находится на той стороне диска, где слой смолы, поэтому впадины для лазера оказываются выступами на ровной поверхности. Так как впадины имеют высоту в четверть длины волны света лазера, длина волны света, отраженного от впадины, составляет половину длины волны света, отраженного от окружающей выступ ровной поверхности. В результате, если свет отражается от выступа, фотодетектор проигрывателя получает меньше света, чем при отражении от площадки. Именно таким образом проигрыватель отличает впадину от площадки. [23]

Для получения гетероструктур лазерных диодов используется эпитаксия. Введение небольшого количества алюминия в активную область из арсенида галлия снижает остаточное напряжение, существующее вследствие несоответствия решеток арсенида галлия и примыкающих к ней слоев А1яХЗа1 жАз, что приводит к улучшению однородности эпитаксиальных слоев. Добавление алюминия в кристаллическую решетку арсенида галлия увеличивает ширину запрещенной зоны и уменьшает длину волны излучения. [24]

Согласование выходной характеристики импульсного лазерного диода с внешней характеристикой источника токовой накачки представляет собой весьма сложную задачу, если учесть также, что чем короче длительность фронта, тем меньше тепловыделение на диоде. [25]

Базовая схема низкокогерентного волоконно-оптического рефлектометра. 1 - источник излучения. 2 - поляризационный контроллер. 3 - блок быстрого преобразования Фурье. 4 - блок вычисления квадрата величины сигнала. 5 - оконечное устройство обработки. [26]

В таких интерферометрах применяются лазерные диоды, степень когерентности излучения которых ухудшается за счет ступенчатой высокочастотной модуляции его фазы и частоты. [27]

В результате были созданы лазерные диоды с односторонним ограничением, получившие название гетероструктурных. [28]

Конструкция маломощного плоскостного транзистора. [29]

Где применяют светодиоды и лазерные диоды. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5