Лазерный диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Всякий раз, когда я вспоминаю о том, что Господь справедлив, я дрожу за свою страну. Законы Мерфи (еще...)

Лазерный диод

Cтраница 3


Как измеряется мощность излучения лазерных диодов.  [31]

С целью повышения эффективности лазерных диодов были предприняты попытки ограничить распространение света и длину свободного пробега электронов областью только активной зоны.  [32]

Наиболее распространенным материалом для лазерных диодов является арсенид галлия.  [33]

Экспериментально изучалась структура мод лазерных диодов.  [34]

В спектрометрах на основе лазерных диодов часто используются гелиевые рефрижераторы с замкнутым циклом.  [35]

36 Схема для измерения мощности излучения лазерных диодов. [36]

Импульсы света, излучаемые лазерным диодом, воспринимаются фотодиодом ФД.  [37]

Инжекционный лазер ( точнее, просто лазерный диод) типа H1D1 на арсениде галлия, работающий в импульсном режиме при комнатной температуре, выпущен в продажу фирмой Дженерал Электрик. Диод может работать в диапазоне температур от 77 К до 75 С, температура перехода при этом может достигать 100 С.  [38]

39 Полупроводниковый лазер с последовательно включенным термоэлектрическим холодильником. [39]

Разработаны конструкции холодильников с матрицей лазерных диодов. В устройстве применены двухкаскадные холодильники и принудительное воздушное охлаждение горячих спаев батареи.  [40]

Преобразование электрических сигналов в световые производится фосфидными и лазерными диодами.  [41]

42 Эскиз излучателя ПКГ Комета-1. [42]

Импульсный генератор 11 служит для получения возбуждающих лазерный диод импульсов тока. Особенностью генератора является большая амплитуда генерируемых импульсов тока ( до 100 а), малая длительность импульсов ( 0 1 - 0 2 мксек) и возможность работы на низкоомную ( десятые доли ом) нагрузку.  [43]

Наиболее часто-употребляемым методом получения р-п переходов для лазерных диодов является диффузия примесей. Такая концентрация примесей, по-видимому, является оптимальной для получения лазерных диодов с низким уровнем порогового тока. Другими - донорными примесями в GaAs являются Se; Si; Ge; S. В качестве акцепторной примеси диффузанта обычно используется цинк.  [44]

С помощью светового луча низкой интенсивности от лазерного диода определяют трехмерные координаты пространства, занятого резервуаром. Все расчеты проводятся с помощыд ЭВМ, для чего предусмотрено специальное программное обеспечение для обработки данных, полученных в ходе измерений.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5