Cтраница 3
Для сверхструктур Si ( lll) - 5x5 81 ( 111) - 7х7и 81 ( 111) - J / 19X [ / 19 наблюдаются существенные отличия в зависимости от температурных условий обработки разного типа. Режимы возникновения этих сверхструктур, по данным [6-10], также имеют значительное расхождение. Это свидетельствует о том, что за появление одних и тех же сверхструктур могут быть ответственны различные примеси. Однако наблюдения показали, что характер изменения и вид дифракционных картин для серии образцов одного типа, выращенных в одних и тех же условиях, повторяются. [31]