Высокочастотный диод

Cтраница 1

Структурные схемы плоскостного ( а и точечного ( б диодов. [1]

Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению р-и-перехода, состояние выключено - обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода. [2]

Высокочастотные диоды характеризуются теми же параметрами номинальных и предельных режимов работы, что и выпрямительные диоды. Кроме того, высокочастотные диоды часто характеризуются дифференциальным ( внутренним) сопротивлением и коэффициентом шума. Шумовые свойства диода можно характеризовать величиной эквивалентного омического сопротивления R3KB, мощность тепловых шумов которого равна мощности шума диода. [3]

Структурные схемы плоскостного ( а и точечного ( б диодов. [4]

Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению / ьл-перехода, состояние выключено - обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода. [5]

Высокочастотные диоды предназначены для работы в различных схемах преобразования элекрических сигналов в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Точечные диоды отличаются от плоскостных более сложными процессами, протекающими в них при выпрямлении. В большинстве случаев основой точечных диодов служиг кристалл германия, в который упирается тонкая металлическая игла. Точечный контакт получают путем специальной формовки. Через диод пропускается несколько сравнительно мощных, но-коротких импульсов прямого тока. При этом возникает сильный местный нагрев контакта и происходит сплавление кончика иглы с полупроводником. Процесс формовки сопровождается изменением типа электропроводности части исходного полупроводника, которая примыкает к контакту. В месте контакта иглы и полупроводниковой пластины возникает р-л-переход. [6]

Высокочастотные диоды предназначены для выпрямления и детектирования сигналов в диапазоне частот до 600 Мгц. Они изготавливаются, как правило, из германия или кремния и имеют точечную структуру. [7]

Вольт-амперная характеристика ( а и внешний вид ( б диода. [8]

Высокочастотные диоды применяются для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах. [9]

Высокочастотные диоды применяют для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах. [10]

Высокочастотные диоды являются приборами универсального назначения. Они могут быть использованы для выпрямления токов в широком диапазоне частот ( до сотен МГц), детектирования, модуляции и других нелинейных преобразований электрических сигналов. Свойства высокочастотных диодов характеризуют следующие параметры. [11]

Высокочастотные диоды могут работать в различных схемах преобразования электрических сигналов вплоть до частот порядка нескольких сотен мегагерц. В этой группе диодов в большинстве случаев используется точечный переход. Полупроводниковый диод с точечным переходом обычно называется точечным диодом. [12]

Высокочастотные диоды являются универсальными приборами. Они могут работать в выпрямителях переменного тока широкого диапазона частот ( до нескольких сотен мегагерц и даже до десятков гигагерц), а также в модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов. [13]

Германиевые точечные высокочастотные диоды могут иметь обратное напряжение до 350 В и прямой ток до 100 мА при Unp 1 - 2 В. Барьерная емкость точечных германиевых диодов мала ( около 1 пФ), но при СВЧ они применяться не могут из-за эффекта накопления. При частоте выше 150 МГц инжектированные носители заряда за время действия обратного напряжения не успевают ре-комбинировать и уйти из базы. [14]

Высокочастотные диоды ранних разработок содержат точечный р-л-переход ( § 1.3), в связи с чем до настоящего времени за ними сохранилось название точечные. [15]

Страницы: 1 2 3 4