Высокочастотный диод

Cтраница 4

На рис. 6.1 показано устройство точечного высокочастотного диода в стеклянном корпусе. [46]

На рис. 3.12 приведена эквивалентная схема высокочастотного диода. [47]

На рис. 3.7 приведена эквивалентная схема высокочастотного диода. Эквивалентная схема состоит из следующих элементов: rs - последовательное сопротивление объема базы, расположенное под точечным контактом ( сопротивление растекания); Rp. [48]

В табл. 3.2 приведены основные параметры некоторых высокочастотных диодов. [49]

Оформление электронных ламп. [50]

По назначению двухэлектродные лампы делятся на кенотроны и высокочастотные диоды. [51]

Блок-схема милли - и микровольтметра.| Блок-схема универсального вольтметра. [52]

В рассмотренных схемах вместо ламповых диодов можно использовать полупроводниковые высокочастотные диоды; при этом отпадает надобность в питании цепи накала и компенсации начального тока. [53]

Структурная схема преобразователя частоты.| Изменение проводимости диода под действием напряжения гетеродина ( а и частотный спектр на выходе преобразовательного прибора для простейшего случая преобразования частоты амплитудно-модулированного сигнала ( б. [54]

На рис. 191, а показана вольт-амперная характеристика высокочастотного диода. Амплитуда сигнала UmC с частотой / значительно меньше амплитуды сигнала гетеродина Umr, поэтому можно считать, что в отношении сигнала гетеродина диод является нелинейным прибором, а в отношении радиосигнала - линейным. [55]

Статические вольт-амперные характеристики СВЧ-диодов отличаются от статических характеристик точечных высокочастотных диодов: у СВЧ-диодов пробивное напряжение значительно ниже. [56]

Конструкции точечных ( а, сварных ( б, диффузионных меза-диодов ( в и пленарных ( г диодов. [57]

Поскольку малое значение tB является общим требованием к импульсным и высокочастотным диодам, то их конструкции подобны. Величина tB определяется диффузионной емкостью диода. Так как Сд - тР ( § 1 - 12), то для уменьшения г необходимо уменьшать Тр в базе диода. Это достигается созданием в полупроводнике различных дефектов, а также введением примесей с большим сечением захвата, например золота. В диодах с узкой базой при большой скорости рекомбинации инжектированных носителей на контакте и базе диффузионная емкость определяется шириной базы. Поэтому в диодах с узкой базой могут быть получены меньшие значения / в, чем в диодах с широкой базой. [58]

Статические вольт-амперные характеристики СВЧ диодов отличаются от статических характеристик точечных высокочастотных диодов: у СВЧ диодов значительно ниже пробивное напряжение. Низкое пробивное напряжение объясняется тем, что для изготовления СВЧ диодов применяют сильно легированные полупроводниковые материалы. Низкое удельное сопротивление исходного материала необходимо для уменьшения сопротивления растекания диода ( см. рис. 1.51), а также для уменьшения времени жизни носителей. [59]

Страницы: 1 2 3 4