Cтраница 3
Импульсные диоды, предназначенные для работы в импульс ных схемах. [31]
Импульсные диоды предназначены для работы в цепях формирования, импульсов напряжения и тока. [32]
Импульсные диоды ( рис. 11 - 11), как правило, имеют малую площадь электрического перехода. Это позволяет существенно снизить емкости перехода ( не выше единиц пикофарад), что осо бенно важно для уменьшения времени переходных процессов в диоде. [33]
Импульсный диод - это полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. Импульсные диоды используют в качестве ключевых элементов схем, работающих с сигналами длительностью вплоть до наносекундного диапазона. [34]
Импульсные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в устройствах импульсной техники. Статические параметры импульсных диодов, включая статическую емкость Сд, также аналогичны соответствующим параметрам выпрямительных и высокочастотных диодов. [35]
Импульсные диоды, как правило, имеют малую емкость Сд, измеряемую как емкость между выводами диода при заданном обратном напряжении. [36]
Импульсные диоды в основном предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах. [37]
![]() |
Устройство р-п перехода точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных мезадиодов ( г и планарных ( д импульсных диодов. 1 - р-п переход. 2 - кристалл. 3 - омический контакт. [38] |
Импульсные диоды предназначены для работы в быстродействую-щих импульсных схемах с временем переключения 1 мкс и менее. [39]
Импульсные диоды широко применяются в импульсных схемах самого различного назначения, например в логических схемах электронных цифровых вычислительных машин. [40]
Импульсные диоды ( рис. 11 - 11), как правило, имеют малую площадь электрического перехода. Это позволяет существенно снизить емкости перехода ( не выше единиц пикофарад), что осо бенно важно для уменьшения времени переходных процессов в диоде. [41]
Импульсные диоды предназначены для работы в цепях формирования импульсов напряжения и тока. [42]
Импульсные диоды могут быть точечными и плоскостными. Конструкция и технология изготовления импульсных диодов практически аналогичнь. Точечные импульсные диоды слаботочные, их широко применяют в ЭВМ в качестве быстродействующих переключающих элементов. Плоскостные диоды работают при средних и больших импульсных токах. [43]
Импульсные диоды изготовляют как в дискретном ( отдельном) исполнении, так и в виде матриц и сборок, содержащих несколько импульсных диодов, включенных по определенной схеме. На рис. 2.5 показана принципиальная схема диодной матрицы типа К. [44]
Импульсные диоды используют в качестве ключевых элементов при импульсах микросекундной и наносекундной алительности. [45]