Импульсный диод
Cтраница 4
 |
Типичные ВАХ полупроводниковых вентилей. купроксного ( Си, селенового ( Se, германиевых точечного ( Qe - т и плоскостного ( Ое-и, кремниевых точечного ( Si - т и плоскостного ( Si - n. [46] |
Конструктивно импульсные диоды оформляются так же, как и маломощные диоды универсального назначения. [47]
 |
Схема измерения заряда переключения диода. [48] |
Импульсные диоды субнаносекундного диапазона имеют величину заряда переключения порядка 5 - 20 пк, поэтому разрешающая способность схем, используемых для измерения этого параметра, должна составлять 1 - 2 пк, чтобы обеспечить приемлемую для производства полупроводниковых приборов точность измерения. [49]
 |
Схема включения ( а и осциллограммы входного напряжения ( б и тока ( в импульсного диода. [50] |
Наиболее быстродействующие импульсные диоды получают методом диффузии донорных или акцепторных примесей в твердый полупроводник. Проникая на некоторую глубину под поверхностью, диффундирующие атомы меняют тип проводимости этой части кристалла, вследствие чего возникает р - n - переход. [51]
 |
Схема включения ( а и осциллограммы входного напряжения ( б и тока ( в импульсного диода. [52] |
Наиболее быстродействующие импульсные диоды получают методом диффузии донорных или акцепторных примесей в твердый полупроводник. Проникая на некоторую глубину полупроводника, диффундирующие атомы меняют тип проводимости этой части кристалла, вследствие чего возникает р - n переход. [53]
Почему импульсные диоды по сравнению с выпрямительными имеют повышенное значение статического обратного тока при прочих равных параметрах. [54]
Свойства импульсных диодов оценивают теми же характеристиками и параметрами, что и у выпрямительных диодов. [55]
Наборы импульсных диодов удобны для применения в установках вычислительной техники, отдельные узлы которых содержат большое число однотипных импульсных диодов. [56]
 |
Параметры переходных процессов в импульсном диоде. [57] |
Для импульсных диодов иногда указываются также максимальное импульсное напряжение ( прямое) Е / Пр. [58]
Особенность импульсных диодов заключается в следующем. [59]
 |
Параметры переходных процессов в импульсном диоде. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5