Cтраница 1
![]() |
Пример построения типовых выходных вольтамперных характеристик для выборки из восьми транзисторов. [1] |
Вид вольтамперных характеристик при повышенной температуре окружающей среды приведен на рис. 2.5. Эти изменения обусловлены, в основном, увеличением коэффициента передачи тока 30 и / кбо, поскольку почти все параметры характеристик зависят от коэффициента передачи Ро и обратного тока / К60, которые увеличиваются при увеличении температуры. [2]
![]() |
Зависимость ионизационного тока на выходе ячейки а-газоанализатора от приложенной к ее электродам разности потенциалов. [3] |
Вид вольтамперной характеристики ячейки изменяется в зависимости от природы наполняющего ее газа, а также от размеров и конфигурации самой ячейки и электродов. Поэтому при любой ячейке необходимо экспериментально установить положение области Б для каждого из чистых компонентов газовой смеси, а затем на основе полученных результатов выбрать рабочее напряжение в пределах этой области. [4]
Вид вольтамперной характеристики фотоэффекта, то-есть ход кривой, воспроизводящей зависимость фототока с катода от разницы потенциалов между катодом и улавливающим электроны анодом, определяется в случае чистых металлических поверхностей, кроме геометрической конфигурации электродов, распределением скоростей среди эмиттирозанных фотоэлектронов и контактной разницей потенциалов между электродами. В случае сложных катодов внешнее поле влияет на эмиссию, и вольтамперная характеристика сложнее. Насыщение тока наступает и для чистых металлов лишь при сравнительно большой разности потенциалов между катодом и анодом в тех случаях, когда вследствие формы катода и анода напряженность поля у поверхности катода настолько различна в различных точках, что при малой разнице потенциалов между анодом и катодом пространственные заряды не рассеиваются в местах наименьшей напряженности поля у катода и ограничивают здесь плотность тока. [5]
По виду вольтамперной характеристики ( рис. 67) участка цепи АВ определяем, что он содержит диод. Вольтамперная характеристика участка цепи DB ( рис. 68) имеет линейный характер, что говорит о наличии резистора. [6]
Как изменяется вид вольтамперной характеристики в зависимости от энергии ионизирующих частиц. [7]
Таким образом, вид вольтамперной характеристики четырехслойного диода зависит от одновременного действия нескольких процессов. Это затрудняет нахождение аналитического выражения вольтамперной характеристики четырехслойного диода. [8]
![]() |
Различные режимы работы туннельного диода при изменении сопротивления нагрузки.| Схема питания нельного диода. [9] |
Как следует из вида вольтамперной характеристики ( рис. 171), эабочую точку необходимо задавать по напряжению. [10]
Обнаружен эффект изменения вида вольтамперной характеристики маломощных кремниевых тиристоров при отрицательном смещении управляющего электрода. Эффект заключается в появлении дополнительного участка отрицательного сопротивления. [11]
На рис. 6 показан вид вольтамперной характеристики вентиля. При отрицательных значениях напряжения на электродах вентиля его сопротивление велико, и он проводит лишь ничтожный обратный ток утечки. При положительных же напряжениях его сопротивление быстро падает с ростом нагрузки, так что напряжение между электродами вентиля имеет небольшую практически постоянную величину, называемую падением напряжения вентиля. [12]
![]() |
Зависимость напряжения переключения управляемого переключающего диода от тока управляющего электрода ( базы. [13] |
На рис. XI.7 показан вид вольтамперной характеристики триод-тиристора. Таким образом, этот случай полностью аналогичен рассмотренному ранее. Подача внешнего сме - иосп щения на управляющий электрод ( базу) приводит к росту тока через систему и снижению величины напряжения переключения. При достаточно больших токах базы вольт-амперная характеристика вырождается в кривую, аналогичную прямой ветви вольтамперной характеристики диода. [14]
Рассмотрим основные физические процессы, определяющие вид вольтамперной характеристики р-п перехода. [15]