Вид - вольтамперная характеристика
Cтраница 2
Пластинка с вплавленными переходами контролируется по виду вольтамперных характеристик и величине коэффициента передачи тока. К годным структурам присоединяют выводы и очищают поверхность от загрязнений травлением. [16]
Пластинки германия с вплавленными переходами контролируют по виду вольтамперных характеристик и величине коэффициента передачи тока. Поверхность сплавных транзисторов подвержена значительному влиянию окружающей среды, особенно влаги, поэтому их помещают в ме-таллостеклянный корпус, в котором поддерживается сухая контролируемая атмосфера. Ножку транзистора с вмонтированной на ней структурой и баллон соединяют электросваркой ( рис. 213, бив) или так называемой холодной сваркой. Последняя осуществляется соединением баллона и фланца ножки, изготовленных из пластичных материалов ( меди и ковара), под большим давлением, создаваемым пуансонами специальной формы. Это приводит к возникновению межмолекулярного сцепления деталей. [17]
Исследуется влияние обратного смещения в цепи управления на вид вольтамперной характеристики маломощных кремниевых тиристоров. Обнаружено, что обратное смещение в цепи управления вызывает появление на вольтамперной характеристике некоторых тиристоров дополнительного участка отрицательного сопротивления. [18]
Меры нелинейных цепей могут воспроизводить, например, заданный вид вольтамперной характеристики нелинейного элемента. [19]
 |
Эквивалентная схема СВЧ диода. [20] |
Однако свойства СВЧ диодов определяются не только и не столько видом вольтамперной характеристики, сколько рядом высокочастотных параметров. [21]
Как показано в главе 4, характер прохождения электронов через контакт полупроводника с металлом и вид вольтамперной характеристики существенно зависят от соотношения менаду длиной свободного пробега и толщиной запорного слоя X. Через тонкий запорный слой электроны проходят, почти не сталкиваясь с решеткой, и их рассеяние в слое можно не учитывать. Точно так же и при прохождении носителей через очень тонкий р - ге-пе-реход можно не учитывать их рассеяния вследствие столкновений с решеткой. Наоборот, в случае более широкого р - тг-перехода движение носителей в самом переходе имеет диффузионный характер. [22]
 |
Волыамперные характеристики при наличии дефектов. [23] |
Вид вольтамперных характеристик, как и вообще свойства транзистора, сильно зависит от температуры перехода. Для схемы с ОЭ эта зависимость выражена наиболее ярко. [24]
Эта особенность вольтамперных характеристик терморезисторов и обеспечивает им широкое применение в системах автоматического регулирования. Вид температурных и вольтамперных характеристик терморезисторов в конечном счете объясняется квантовым механизмом процессов, происходящих в полупроводниковом веществе, из которого они изготовлены. [25]
 |
Пример схемы измерения входных и выходных вольтамперных характеристик на постоянном токе. [26] |
К этим недостаткам, в первую очередь, следует отнести длительный процесс измерений и последующую кропотливую обработку результатов, ограниченную возможность исследования области пробоя из-за высокой мощности рассеяния, непостоянство температуры перехода вдоль кривой, так как каждой точке на характеристике соответствует определенная мощность рассеяния. Это определяет вид вольтамперных характеристик. [27]
Таким образом, анодный ток в триоде определяется как напряжением на аноде, так и напряжением на сетке. В связи с этим у триода имеются два вида вольтамперных характеристик: анодные и сеточные. [28]
Величина обратного тока через переход определяется в основном свойствами материала ( т, п), температурой ( ref) и геометрией р-п перехода. Для определенной температуры и определенного полупроводника при напряжениях ниже пробивного ток насыщения есть величина постоянная, определяющая вид вольтамперной характеристики перехода, смещенного в обратном направлении. [29]
Подробное рассмотрение всех этих вопросов выходит за рамки настоящей книги. Поэтому мы лишь кратко укажем особенности зонной структуры некоторых полупроводников и рассмотрим, как они сказываются на виде вольтамперных характеристик туннельных диодов. [30]
Страницы: 1 2 3