Cтраница 1
Вид вольт-амперной характеристики в основном определяется соотношением между диффузионной и дрейфовой составляющими тока. [1]
![]() |
Общий вид термистора.| Вольт-амперные характеристики терми-сторов. [2] |
Вид вольт-амперной характеристики определяется тем, что термистор сам нагревается проходящим через него током. В этом режиме термистор используют для измерения температуры окружающей среды. [3]
![]() |
Подогревные характеристики терморезисторов косвенного подогрева. [4] |
Вид вольт-амперной характеристики терморезистора определяется его конструкцией, сопротивлением термочувствительного элемента, средой, в которую помещен терморезистор, и степенью тепловой связи между терморезистором и окружающей средой. [5]
![]() |
Прямое включение перехода металл - полупроводник n - типа при фпфм.| Обратное включение. [6] |
Вид вольт-амперной характеристики перехода Шоттки зависит от соотношения длины свободного пробега носителей заряда и толщины обедненного слоя. Если длина свободного пробега электронов меньше толщины обедненного слоя, то электроны, проходя запирающий слой, испытывают многократное рассеяние на фононах и траектория их движения носит диффузионный характер. [7]
![]() |
Подогревные характеристики терморезисторов-кос-веннвого подогрева.| Вольт-амперная характеристика варисторов. [8] |
Вид вольт-амперной характеристики терморезисторов косвенного подогрева в значительной степени зависит от тока, протекающего по обмотке подогрева. [9]
![]() |
Вольт-амперные характеристики фотоэлемента с высоким продольным сопротивлением фоточувствительного слоя. [10] |
Такой вид вольт-амперных характеристик типичен для фотоэлементов с катодами на проводящих подложках. Фотоэлементы с катодами, имеющими большое продольное сопротивление при малых световых потоках, имеют вольт-амперные характеристики, аналогичные описанным. [11]
На вид вольт-амперной характеристики значительное влияние оказывает изменение температуры кристалла. Рассмотрим изменение вольт-амперной характеристики под действием температуры на примере кремниевого вентиля. [12]
Различают три вида вольт-амперных характеристик полупроводниковых вентилей. [13]
В гетеропереходах на вид вольт-амперной характеристики существенное влияние оказывают несовершенства границы между двумя материалами, проявляющиеся в образовании большого количества дефектов и скоплении примесей. Эти дефекты и примеси участвуют в процессах генерации и рекомбинации носителей заряда, что сильно влияет на прохождение тока. В гетеропереходах поэтому А превышает единицу. На вольт-амперную характеристику большое влияние может оказывать туннелирование носителей заряда через потенциальный барьер, если ширина его невелика. [14]
Таким образом, вид вольт-амперной характеристики стабилитрона обеспечивает необходимое изменение сопротивления Rv регулирующего элемента. [15]