Вид - вольт-амперная характеристика
Cтраница 3
Зависимость тока в элементах цепи от напряжения / f ( U) выражают графически в виде вольт-амперных характеристик. Строго говоря, элементов с линейной зависимостью I ( U) не существует. Однако, когда эта нелинейность незначительна, цепь можно рассматривать как линейную. [31]
Процесс детектирования осуществляется, как всякое выпрямление, с помощью нелинейных элементов, в связи с чем выходной спектр детектора во многом определяется видом вольт-амперной характеристики нелинейного элемента. Выражение (5.28) соответствует случаю так называемого линейного детектора. [32]
 |
Энергетические диаграммы выпрямляющего. [33] |
В зависимости от соотношения длины свободного пробега носителей заряда и толщины обедненного слоя характер их переноса через обедненный слой, а следовательно, и вид вольт-амперной характеристики меняются. Если длина L свободного пробега электронов значительно меньше толщины слоя Wn, то электроны, проходящие через этот слой, испытывают многократные столкновения с решеткой, а их траектория носит диффузионный характер. [34]
Необходимость уменьшать размеры диодов по мере повышения частоты, на которой они должны работать, приводит к постепенному снижению в них электронного тока, ухудшению вида вольт-амперной характеристики и всех параметров лампы. Поэтому, как правило, вакуумные диоды применяются на частотах не выше 3000 Мгц. [35]
Расчет такого мультивибратора достаточно сложен, так как насыщенный транзистор в схемах с непосредственными связями не является эквипотенциальной точкой и опрокидывание мультивибратора в значительной степени определяется видом вольт-амперных характеристик при малых токах. [36]
Поэтому условие сходи - мости ( 4 - 13) выполняется при любом значении сопротивления гв - Конечно, быстрота сходимости итерационного процесса зависит не только от вида вольт-амперных характеристик и выбора начальных приближений, но и от величины сопротивления гв. Однако основным фактором, определяющим решение нелинейных уравнений методом итерации, является способ составления расчетных уравнений. [37]
Двухэлектродные полупроводниковые приборы, изготавливаемые из приведенных в табл. 12 веществ, можно по принципу действия разделить на три группы, а именно: приборы с использованием вида вольт-амперной характеристики; приборы, использующие светочувствительность, и приборы с использованием температурной чувствительности. В приборах, управляемых напряжением, необходимо принимать специальные меры, чтобы устранить ( общую для всех полупроводников) зависимость характеристик и параметров от светового потока и температуры. Соответственно параметры светочувствительных элементов должны по возможности слабо зависеть от напряжения и температуры, а параметры термочувствительных элементов - от напряжения и светового потока. [38]
 |
Составляющая вольт-амперной характеристики туннельного диода, создаваемая туннельным переходом.| Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [39] |
Следует отметить, что перекрытие зоны проводимости и примесной зоны приводит к такому положению, когда плотность состояний при Е 0 ( нижняя граница зоны проводимости в отсутствие перекрытия) оказывается отлична от нуля и это несколько изменяет вид вольт-амперной характеристики и смещает положение минимума иг в сторону больших напряжений. [40]
 |
Обратная характеристика селенового выпрямителя в зависимости от температуры диска. [41] |
Начинает быстро расти только после того, как падение напряжения в выпрямителе станет превышать примерно 0 5 в. Такой ступенчатый вид вольт-амперной характеристики в прямом направлении типичен для селенового выпрямителя. Обратный ток выпрямителя растет пропорционально обратному напряжению в некоторой степени. [42]
Какой вид имеет вольт-амперная характеристика тиристора. Как изменяется вид вольт-амперной характеристики тиристора при изменении тока управляющего электрода. [43]
 |
Определение типа электропроводности полупроводника.| Осциллограммы в. а. х. [44] |
Тип электропроводности определяется по виду вольт-амперной характеристики, наблюдаемой на экране осциллографа. Принципиальная схема эксперимента показана на рис. 6.14. На контакт металлический зонд - полупроводник подается переменное напряжение. При прямом напряжении сопротивление контакта резко уменьшается, падение напряжения в запирающем слое становится пренебрежимо малым и ток через контакт резко возрастает. Сигнал подается на горизонтальные пластины, и на экране осциллографа появляется вертикальная прямая. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5