Селеновый диод

Cтраница 2

Принцип устройства селенового вентиля.| Конструкция германиевых диодов. а - точечного, бив - плоскостных. [16]

Селеновые диоды ( шайбы) могут объединяться путем последовательного или параллельного соединения нескольких штук в столбики с целью повышения напряжения или тока. [17]

Селеновый диод представляет собой алюминиевый диск ( см. рис. 78) или пластину толщиной порядка 0 8 мм, одна сторона которого тщательно очищается и покрывается висмутом. Затем наносится слой селена 0 05 - 0 06 мм, на который наклеивается слой сплава олова, кадмия, свинца и висмута толщиной 0 05 мм. [18]

Соединенные последовательно селеновые диоды шунтировать резисторами не нужно. Последовательное включение точечных диодов в выпрямительных схемах не применяют. [19]

Конструкция селеновых вентилей. [20]

Конструкция селеновых диодов зависит от допустимого тока и технологии его производства. Плотность тока в селеновых вентилях при нормальных условиях не превышает 50 ма / см2, поэтому вентили имеют большую площадь. Они изготовляются в виде пластин круглой, квадратной и прямоугольной формы с центральным отверстием. [21]

Стабисторы - кремниевые и селеновые диоды, стабилизирующее действие которых основано на использовании круто восходящей прямой ветви вольт-амперной характеристики, используют в стабилизаторах, если нужно иметь стабилизированное напряжение величиной 0 7 - 0 8 В. [22]

Электрические свойства селенового диода определяются прежде всего его вольтамперной характеристикой ( рис. П-70), представляющей зависимости прямого и обратного тока от величин прямого и обратного напряжения. [23]

Схематическое устройство селеновых диодов. а - тип ABC. [24]

После изготовления селенового диода осуществляют его электрическое формование, заключающееся в том, что через диод пропускают ток в течение длительного времени. [25]

Собственная емкость селенового диода обусловлена наличием запорного слоя между двумя его электродами. Величина емкости составляет от 0 01 до 0 02 мкф на 1 смг рабочей поверхности запорного слоя диода и зависит от напряжения, приложенного к вентилю. Действие емкости диода сводится к тому, что при относительно высокой частоте выпрямляемого тока сопротивление запорного слоя оказывается соединенным параллельно собственной емкости, в результате чего сопротивление этого участка цепи уменьшается с ростом частоты тока. При некоторой достаточно высокой частоте тока сопротивление емкости диода оказывается меньше сопротивления запорного слоя, в результате чего вентильные свойства диода пропадают - он начинает одинаково хорошо проводить ток как в прямом, так и в обратном направлениях. Таким образом, собственная емкость диодов ограничивает возможность использования селеновых вентилей в цепях тока высокой частоты. [26]

Допустимая нагрузка селеновых диодов по току и напряжению в значительной мере определяется эффективностью их охлаждения. Поэтому, если по условиям эксплуатации вентиль работает с перегрузкой, стремятся всемерно улучшить его охлаждение. [27]

Для большинства селеновых диодов типа ABC можно с некоторым приближением считать, что в пределах от 20 до 60 С сопротивление прямому току уменьшается на 1 % от первоначального при повышении температуры на 1 С; снижение температуры окружающей среды приводит к увеличению сопротивления прямому току. [28]

Схемы включения выпрямителей. [29]

Собранные в столбы селеновые диоды обычно помещают в бак вместе с высоковольтным трансформатором, где они охла ждаются циркулирующим по радиатору трансформаторным маслом. Нагрев селеновых диодов допускается в пределах 60 - 80 С. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5