Cтраница 3
Наибольшее обратное напряжение селеновых диодов составляет 20 - 25 В. Для выпрямления большего напряжения соединяют последовательно несколько селеновых шайб. Для этого их надевают на изолированный стержень и стягивают гайками. Контакт между отдельными шайбами производится с помощью пружинящих металлических дисков. Выпрямляемый ток подводится к латунным выводам на концах селенового столбика. [31]
Внешний вид некоторых типов селеновых вентилей. [32] |
Для последовательного включения селеновых диодов в вентильные комплекты их подбирают так, чтобы обратный ток менялся в зависимости от приложенного к ним обратного напряжения по одному и тому же закону; при параллельном включении диодов у них должен одинаковым образом меняться прямой ток в зависимости от приложенного к ним прямого напряжения. [33]
Параметрические диодные стабилизаторы. [34] |
Стабисторы - кремниевые или селеновые диоды, в которых используется круто восходящая прямая ветвь вольт-амперной характеристики. Стабилизируемое напряжение составляет 0 7 - 0 8 В. В качестве стабисторов часто применяют стабилитроны в прямом включении. При последовательном включении двух или нескольких стабилитронов ( стабисторов) напряжение стабилизации равно сумме напряжений стабилизации каждого диода. [35]
Из табл. 20 находим размеры селеновых диодов. Для рассматриваемого случая подходящими являются диоды, имеющие размеры 60X60 ( мм) при / 0 6 А. [36]
Из табл. 20 находим размеры селеновых диодов. [37]
Остальные параметры диодов Шоттки, германиевых и селеновых диодов приводятся в соответствующих технических условиях на конкретный тип прибора или в каталогах зарубежных фирм-изготовителей приборов. [38]
В случае последовательного соединения важно подбирать селеновые диоды так, чтобы их характеристики были по возможности одинаковыми по величине допустимого обратного напряжения. В противном случае напряжение на диодах комплекта не будет падать равномерно, что может ускорить выход всего вентильного комплекта из строя. [39]
На рис. П-68 дан пример сборки селеновых диодов в столбик. [40]
По данным табл. 20 находим размеры селеновых диодов. Подходящими для рассматриваемого случая являются диоды, имеющие размеры 75X75 ( мм) при / 1 2 А. [41]
Статические вольтамперные характеристики селенового диода. [42] |
С технологической точки зрения описанные типы селеновых диодов одинаковы, так как при их изготовлении почти всегда применяют вакуумные методы нанесения слоев висмута, кадмия и селена. Ранее применявшиеся механические методы нанесения этих слоев теперь не используются. [43]
На рис. 4 6 представлено устройство селенового диода, в котором запирающий слой возникает между верхней плоскостью селенового слоя и электродом. В качестве основания для селена используется железо или алюминий. Нанесение на него поверхностного слоя из никеля или висмута приводит к образованию селенида и тем самым существенно улучшает переход к слою селена. Селен обычно наносится на основание распылением в вакууме. В последнее время метод распыления часто применяется для получения разнообразных слоев с различными присадками, благодаря чему удается получить более крутую характеристику по сравнению с той, которая обеспечивалась при старой технологии, а тем самым и более высокую перегрузочную способность диода. Съемные электроды меднозакисных диодов выполняются, как правило, из серебра, которое наносится опрыскиванием после вытравливания оксидного слоя. Съемные электроды в селеновых диодах должны выполняться из материалов, которые в паре с селеном образуют запирающий слой; особенно пригодным для этой цели является кадмий, который наносится в качестве противо-электрода один или в соединении с другими металлами. [44]
Для удобства пользования справочником диоды Шоттки, германиевые и селеновые диоды расположены по мере возрастания среднего тока. [45]