Cтраница 3
Механизм действия транзистора с р-га-переходами по сравнению с механизмом работы точечно-контактного транзистора оказывается относительно несложным. Геометрия его более проста, и здесь нет осложняющих факторов, связанных с природой точечных контактов. Контакты проводника с областями эмиттера и коллектора представляют собой омические контакты большой площади. На работу транзистора они не оказывают существенного влияния. Контакт на узкой площади базы также является омическим. Этот вопрос мы обсудим несколько позднее. Интересно заметить, что первый транзистор с р-га-переходами был разработан Шокли [20] на основе теории р-га-перехода и, как потом выяснилось, его характеристики оказались в более или менее близком согласии с теорией. Транзисторы, полученные методом выращивания из расплава, обладают почти плоскими р-га-переходами. Их характеристики находятся в более близком согласии с теорией, чем характеристики разработанных позже типов / транзисторов с более сложной геометрией. [31]
Механизм действия транзистора с р-га-переходами по сравнению с механизмом работы точечно-контактного транзистора оказывается относительно несложным. Геометрия его более проста, и здесь нет осложняющих факторов, связанных с природой точечных контактов. Контакты проводника с областями эмиттера и коллектора представляют собой омические контакты большой площади. На работу транзистора они не оказывают существенного влияния. Контакт на узкой площади базы также является омическим. Этот вопрос мы обсудим несколько позднее. Интересно заметить, что первый транзистор с р-га-переходами был разработан Шокли [20] на основе теории р-га-перехода и, как потом выяснилось, его характеристики оказались в более или менее близком согласии с теорией. Транзисторы, полученные методом выращивания из расплава, обладают почти плоскими р-га-переходами. Их характеристики находятся в более близком согласии с теорией, чем характеристики разработанных позже типов / транзисторов с более сложной геометрией. [32]
Истинное значение точки начала гомогенного зародшнеобразо-вания является предметом значительных расхождений во мнениях разных авторов. Фольмер и Флуд, использовавшие электрическое поле для удаления ионов, считали, что появление первых видимых признаков конденсации соответствует истинной границе гомогенного зародышеобразования. Они приходят к выводу, что предельное пересыщение Фольмера и Флуда соответствует конденсации на ионах, которые не полностью удаляются электрическим полем. Дальше они делают вывод, что хорошее соответствие результатов Фольмера и Флуда с расчетами, основными на уравнении (11.59), случайно. Мейсон [ Mason, 1960 также приводит ряд причин, по которым надо быть осторожным при интерпретации экспериментов с камерой Вильсона. Другие авторы приходят к разным заключениям ( как благоприятным, так и неблагоприятным) относительно согласия теории с экпериментом. Изменения р / рю ( критическое) соответствуют, следовательно, малым изменениям а для данной скорости зародышеобразования. Таким образом, если уравнение (11.59) используется для расчета величины а, соответствующей наблюдаемой величине р / раэ ( критическое), только очень близкое согласие между рассчитанной величиной и известным поверхностным натяжением может рассматриваться как значимое. [33]