Галлийорганическое соединение
Cтраница 2
Среди реакций этого типа соединений описаны: взаимодействие R3Ga с галоидами и галоидоводородами, гидролиз и восстановление R3Ga, взаимодействие R3Ga с соединениями, содержащими карбонильную группу, а также реакции образования комплексов галлийорганическими соединениями. [16]
Результаты исследования различных неподвижных жидких фаз ( силиконовое масло ДС-550, силиконовые эластомеры SE 30 и Е 301, силикон Термол-1, апиезоны, реоплекс, сивалон) и адсорбентов ( фторопласт-42 марки В, полихром 1, полиэтилен, графитированная сажа) свидетельствуют о том, что лучшее разделение выявленных примесей в МОС галлия происходит на колонке с фторопластовым наполнителем. В га-зо-жидкостном варианте наблюдается заметное разложение галлийорганических соединений за исключением случая применения эластомеров, нанесенных на хроматон N-AW-MMDC, отмытый кислотой и силанизированный гексаметилдисила-заном. [17]
 |
Системы галлия с фосфором ( а, мышьяком ( б и сурьмой ( в. [18] |
Гидрид галлия GaH3 был синтезирован исходя из галлийорганических соединений. Температура плавления около - 20; выше - 15 разлагается на галлий и водород. [19]
Использование галлийорганических соединений позволяет осуществлять процесс получения эпитаксиальных слоев галлия с элементом V группы в однозонной печи. В процессе отсутствуют агрессивные транспортирующие агенты и поэтому не наблюдается подтравливания. Этим методом возможно осаждение эпитаксиальных слоев не только на полупроводниковые подложки, но и на изолирующие и металлические. Применяемые галлийорганические соединения, такие, как триметил - и триэтилгаллий, являются легколетучими, что позволяет точно контролировать количество вводимого в реакцию галлийорганического соединения, барботируя газ-носитель ( водород) через МОС галлия при комнатпой температуре. Эпитаксиалышй слой соединения галлия с элементом V группы образуется в результате реакции между органическим соединением галлия и гидридами V группы. В качестве гидридов V группы были использованы арсин, фосфин и стибип. [20]
Приведены результаты по разработке химико-спектрального и газо-хроматографического анализа триметилгаллия и его эфирата на микропримеси. Изучена эффективность глубокой очистки указанных соединений методом ректификации. Предложена схема очистки алкильных соединений галлия, позволяющая получать продукты с суммарным содержанием примесей ( по 15 элементам) 1.10 - 4 % вес. Показано, что применение очищенных галлийорганических соединений обеспечивает выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия с высокими электрофизическими свойствами. [21]
Использование галлийорганических соединений позволяет осуществлять процесс получения эпитаксиальных слоев галлия с элементом V группы в однозонной печи. В процессе отсутствуют агрессивные транспортирующие агенты и поэтому не наблюдается подтравливания. Этим методом возможно осаждение эпитаксиальных слоев не только на полупроводниковые подложки, но и на изолирующие и металлические. Применяемые галлийорганические соединения, такие, как триметил - и триэтилгаллий, являются легколетучими, что позволяет точно контролировать количество вводимого в реакцию галлийорганического соединения, барботируя газ-носитель ( водород) через МОС галлия при комнатпой температуре. Эпитаксиалышй слой соединения галлия с элементом V группы образуется в результате реакции между органическим соединением галлия и гидридами V группы. В качестве гидридов V группы были использованы арсин, фосфин и стибип. [22]
Страницы: 1 2