Нестехиометрическое соединение

Cтраница 2

Химия нестехиометрических соединений особенно быстро развивалась в последние 15 лет. [16]

Помимо нестехиометрических соединений со слоистыми, канальными и клеточными структурами имеются два типа соединений, в которых важную роль играет геометрический фактор. [17]

К нестехиометрическим соединениям не относятся твердые растворы, вещества, содержащие различные примеси, продукты сорбции кристаллами посторонних молекул или ионов. [18]

К нестехиометрическим соединениям относятся, как это было сказано выше, практически все твердые вещества с ионной и атомной кристаллической решетками. Ниже рассматриваются только отдельные примеры бертоллидов, химия которых была изложена в предыдущих главах учебника. [19]

К нестехиометрическим соединениям относятся и так называемые оловянные кислоты, образующиеся при взаимодействии МНз с SnCU или Sn с концентрированной НМОз. [20]

К нестехиометрическим соединениям относятся соединения включения, или клатраты ( от лат. [21]

К нестехиометрическим соединениям второго типа относятся соль-ваты, а также и ряд аддуктивных соединений, образование которых обычно сопровождается гидратацией или сольватацией полисахаридов. [22]

В чистых нестехиометрических соединениях в общем случае концентрация и природа точечных дефектов меняется при изменении парциальных давлений компонентов во внешней фазе. Следовательно, характер и полнота компенсации примеси зависят и от условий, при которых примесь вводится в кристалл. [23]

Углеводы дают нестехиометрические соединения в основном двух типов. [24]

Простейший тип нестехиометрических соединений широко представлен галогенидами щелочных металлов, в которых имеется избыток ионов металлов, образующийся вследствие наличия анионных вакансий. Такого типа Нестехиометрические соединения очень легко получают при нагревании хлорида натрия в парах натрия. При этом решетка связывает атомы натрия, которые затем занимают в ней такие же регулярные положения, как и ионы Na, а освобождающиеся электроны захватываются вблизи вновь образованных анионных вакансий ( см. рис. 8), которые, до тех пор пока они свободны, являются центрами эффективного положительного заряда в кристалле. [25]

Система энергетических зон в случае полупроводника, включающего атомы примеси. [26]

Полупроводниковые свойства нестехиометрических соединений рассмотрены в разд. [27]

Область существования нестехиометрических соединений может составлять от нескольких десятков процентов ( TiO) до весьма малой величины ( 10й см-3), что, по-видимому, имеет место для некоторых соединений АШВ. [28]

У некоторых нестехиометрических соединений обнаружено явление сверхпроводимости, заключающееся в том, что ниже некоторой температуры ( Тс) электрическое сопротивление этих веществ становится близким к нулю. Полагают, что сверхпроводящее состояние вещества вызвано возможностью коллективного движения валентных электронов. [29]

Существование некоторых нестехиометрических соединений ни в коей мере не ставит под сомнение справедливость закона простых кратных отношений, а вытекает из определенных особенностей кристаллических решеток, а именно их несовершенств, или дефектов. В решетке место катиона или аниона может остаться свободным ( дефекты Шоттки), если электрическая нейтральность кристалла поддерживается изменением валентности другого иона. Третий тип дефектов кристаллических решеток возникает в том случае, когда два атома меняются местами. Вследствие электростатического отталкивания катион не может занять место аниона, поэтому последний тип дефектов решетки встречается только у металлов ( см. промежуточные фазы, стр. [30]

Страницы: 1 2 3 4