Параллельное соединение - транзистор
Cтраница 3
Переключатель SA1 на входе усилителя позволяет согласовать его с различными типами головок. Параллельное соединение транзисторов VT1 и VT2 улучшает шумовые параметры схемы. Гальваническая связь между каскадами и охват их ООС улучшает остальные параметры усилителя. В устройстве использованы те же типы деталей, что и в предыдущем усилителе. Узел настройки не требует. [31]
Для трехкаскадного составного транзистора из германиевых транзисторов выбираем ( / к. Если используется параллельное соединение транзисторов, ( / к. [32]
 |
Триггер с установочными входами на транзисторах с р-каналами.| Ячейка И - ИЛИ - НЕ с дополнительным выходным каскадом. [33] |
Поэтому и схема с параллельным соединением транзисторов в данном случае предпочтительна. [34]
Стабилизатор работает следующим образом. Входное напряжение [ 7В31, которое может меняться в пределах от 15 до 8 В, поступает на регулирующий элемент. Последний представляет собой параллельное соединение транзисторов Т2 и ТЗ, где напряжение падает и с выхода которого снимается напряжение Е / вых г 8 В. [35]
В основу базовых схем логических элементов положены схемы диодной и транзисторной логики, реализующие функции конъюнкции и дизъюнкции. Одновременно с функцией конъюнкция ( при последовательном соединении транзисторов) или дизъюнкция ( при параллельном соединении транзисторов) транзисторная логика реализует функцию отрицания. [36]
Это вызывает дополнительные потери в транзисторе и может вызвать сбой схемы управления. Подключение шунтирующего диода не позволяет потенциалу коллектора подняться выше, чем прямое падение напряжения на диоде ( 0 2 - 0 4 в), и транзистор оказывается закрытым, так как забирающий сигнал ( 1 - 2 в) обычно больше прямого падения напряжения на шунтирующем диоде. Обратный ток в этом случае протекает через диод. Это свойство параллельного соединения транзистора и шунтирующего диода весьма важно, особенно в инверторе, работающем с коммутационными паузами. [37]
На практике транзисторные УПТ выполняются только по балансным схемам с общим стабилизирующим резистором в цепи эмиттера. Кремниевые транзисторы лучше подходят для этой цели, так как их характеристики меньше зависят от температуры. Кроме того, необходимо тщательно подбирать транзисторы попарно с близкими температурными характеристиками. Балансная схема с параллельным соединением транзисторов приведена на рис. 4.62. Выходное напряжение снимается с диагонали моста между коллекторами транзисторов. [38]
 |
График зависимости энергии Е ь переключения транзистора от величины затворного резистора для IRG4BC30F. [39] |
Если мы внимательно посмотрим на график, характеризующий зависимость потерь переключения от тока заряда затвора ( рис. 6.11), то можно убедиться, что эти потери очень мало зависят от тока затвора. Для приведенного графика при изменении Rg в 5 раз ( при сохранении уровня управляющего напряжения) общая энергия потерь меняется всего в пределах 10 %, что составляет так называемую инженерную точность расчетов. Поэтому при проектировании схемы управления транзистором IGBT рекомендуется выбрать по графику максимальное значение затворного резистора. Этим мы гарантированно обезопасим себя от случайного защелкивания и звона при параллельном соединении транзисторов, о чем будет сказано ниже. [40]
Страницы: 1 2 3