Cтраница 2
Отказы, вызываемые механическими повреждениями прдволочных выводов и тонкопленочных межэлементных соединений, являются следствием дефектов, полученных либо в процессе термокомпрессионнок сварки, либо при межоперационной транспортировке пластин с нанесенной на них металлизацией. Напримэр, перегрев во время термокомирессионной сварки может вызвать охрупчивание проволочного - вывода около термокомпрессионного соединения. [16]
Интегральные схемы изготавливают на общей пластине кремния без межсоединений, но с металлизированными контактами к каждому компоненту. В процессе макетирования соединительные линии наносятся на карту с изображениями компонентов, расположенных так же, как и на базовой пластине. Затем в соответствии с картой осуществляют термокомпрессионные соединения между требуемыми контактами. [17]
Для получения гетерокомпозиций с низкой плотностью дислокаций используют технику наращивания промежуточных ( буферных) слоев между подложкой и рабочими слоями будущей приборной структуры. Такие низкотемпературные слои содержат в повышенных концентрациях кластеры точечных дефектов, являющиеся эффективными центрами гетерогенного зарождения в них дислокаций, что способствует релаксации напряжений несоответствия в выращиваемой гетерокомпозиций. Хорошие результаты дает использование в качестве подложек структур кремния на диэлектрике с очень тонким ( нанометровых толщин) слоем бездислокационного монокристаллического кремния на поверхности оксида. Такие структуры в настоящее время успешно создаются методом прямого термокомпрессионного соединения пластин. В данном случае тонкий слой кремния на поверхности диэлектрика играет роль эластичной подложки, аккумулирующей значительную долю напряжений несоответствия в процессе наращивания ге-тероэпитаксиальной композиции. Одновременно со снижением плотности дислокаций все эти приемы успешно решают и проблему шероховатости гетерограниц. Успешное освоение методов получения гетерострукгур SiGe / Si с низкой плотностью дислокаций и планарными гетерограница-ми позволяет реально оценивать перспективы их широкого использования в большой микроэлектронике уже в самое ближайшее время. [18]