Создание - пересыщение
Cтраница 2
Ход осаждения лимитируется созданием пересыщения в результате химической реакции и скоростью кристаллизации углекислого бария. Крупность кристаллов осадка и скорость его образования прежде всего зависят от степени пересыщения раствора, при котором происходит образование твердой фазы. В свою очередь степень пересыщения определяется соотношением скоростей образования и снятия пересыщения. [16]
Действие примесей при создании пересыщения сводится по крайней мере к двум результатам. В присутствии примесей изменяется растворимость веществ, что и приводит в конечном итоге к изменению степени пересыщения раствора. Причины изменения растворимости могут быть разными. Здесь могут проявляться и высаливающий эффект, и химическое взаимодействие. Но так или иначе изменение ceq влечет за собой изменение пересыщения раствора. Что же касается предельного пересыщения, то оно может изменяться в присутствии примесей в основном за счет влияния их на образование зародышей. Сказанное относится не только к растворам, но и к расплавам. Но в этом случае примеси оказывают влияние на степень переохлаждения и на величину предельного переохлаждения. [17]
 |
Структурная схема аппарата для фракционной кристаллизации. [18] |
В кристаллорастителе при создании пересыщения происходит образование зародышей и рост кристаллов. Образующиеся кристаллы увлекают с собой достаточно большое количество примесей, следовательно, требуется дальнейшая их очистка. В зоне обогащения по высоте устанавливается такой температурный градиент, чтобы максимальная температура была выше, а минимальная - ниже температуры кристаллизации исходной смеси, подаваемой на разделение. Образовавшиеся кристаллы из верхней части аппарата ( кристаллорастителя) под действием силы тяжести перемещаются, увлекая за собой маточную жидкость, относительно температурного поля в направлении более высоких температур и плавятся. Часть образовавшегося расплава ( флегма) противотоком к кристаллам перемещается в область низких температур и кристаллизуется. В результате этого высокоплавкие компоненты перемещаются в горячую, а легкоплавкие - в холодную часть аппарата. [19]
 |
Принципиальная технологическая схема кристаллизационной установки с псевдо. [20] |
Несмотря на различные способы создания пересыщения, большинство аппаратов, предназначенных для кристаллизации из растворов, является кристаллизаторами со стационарным или циркулирующим по замкнутому контуру псевдоожиженным слоем. [21]
 |
Кристаллизатор-холодильник со взвешенным слоем кристаллов. [22] |
В зависимости от способа создания пересыщения используется та или иная конструкция кристаллизатора со взвешенным слоем. [23]
Широко известны два метода создания пересыщения укрупняющих паров: турбулентное смешение холодного потока аэрозоля с горячим потоком, насыщенным парами укрупняющего вещества, и адиабатическое расширение пробы аэрозоля, насыщенной парами укрупняющего вещества. [24]
Наиболее распространенным и простым способом создания пересыщения в растворе с прямой растворимостью является охлаждение. При охлаждении такого раствора понижается растворимость содержащегося в нем вещества, раствор становится пересыщенным и в нем начинается процесс кристаллизации. [25]
Как уке указывалось, способ создания пересыщения в растворе завчсит от физико-химических свойств вещества и определяется, в первую очередь, характером изменения его растворимости в зависимости от температуры при определенном давлении. Дяя веществ, растворимость которых резко уменьшается с. [26]
Наиболее часто используются первые три способа создания пересыщения. [27]
Выделяют три основные стадии процесса кристаллизации: создание пересыщения исходной системы, зарождение центров кристаллизации и рост кристаллов. [28]
Инкрустирование поверхностей, наиболее интенсивное в зонах создания пересыщения, уменьшает коэффициент теплопередачи, нарушает нормальную работу аппаратуры. [29]
Очень часто в промышленности используют комбинированные способы создания пересыщения. Например, при вакуум-кристаллизации одновременно с охлаждением раствора осуществляется и его упаривание. [30]
Страницы: 1 2 3 4