Создание - резистор
Cтраница 1
 |
Способы получения тонких пленок и области их применения. [1] |
Создание резисторов, конденсаторов, индуктивностей и электропроводников. [2]
 |
Способы получения тонких пленок и области их применения. [3] |
Создание резисторов, конденсаторов и проводников. [4]
 |
Устройство диффузионного резистора на р-слое ( / - выводы резистора. 2 - диэлектрический слой. 3 - резистор. [5] |
Для создания резисторов используют участки полупроводникового материала ограниченных размеров. Такие резисторы называют диффузионными. Как отмечалось ( см. § 2.1), значения удельных электрической проводимости а и электрического сопротивления р полупроводникового материала определяются концентрацией и подвижностью носителей заряда в нем. [6]
Для создания резисторов в массу полупроводника методом сплавления или диффузии вводят соответствующим образом дозированное количество примесей, благодаря чему участки определенной длины и сечения приобретают необходимое удельное электрическое сопротивление. Резисторы можно также сформировать, покрывая полупроводник тонким изолирующим слоем кварца и нанося поверх него резистнвное вещество; для получения необходимой длины линии этого вещества ему часто придают самую причудливую форму. [7]
Современная тенденция - создание указанных резисторов и диодов на том же кристалле, на котором формируется составной транзистор, т.е. создание силовой интегральной схемы. [8]
В биполярных ИМС для создания резисторов используют одну из областей биполярной транзисторной структуры: эмиттер, базу или коллектор. Основу этих структур составляет один из слоев ИМС, получаемый методом диффузии. Отсюда название таких резисторов - диффузионные. Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p - n - переходами. Полупроводниковые резисторы с большими значениями сопротивлений получают не диффузией, а методом ионной имплантации примесей. Такие резисторы называют ионно-ле-гированными. [9]
В биполярных ИМС для создания резисторов используют одну из областей биполярной транзисторной структуры: эмиттер, базу или коллектор. Основу этих структур составляет один из слоев ИМС, получаемый методом диффузии. Отсюда название таких резисторов - диффузионные. Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p - n - переходами. Полупроводниковые резисторы с большими значениями сопротивлений получают не диффузией, а методом ионной имплантации примесей. Такие резисторы называют ионно-легированными. [10]
В новых разработках [311] ставится задача создания резисторов, обладающих высокой влагостойкостью, способностью работать в жестких условиях тропического климата, стойкостью к воздействию радиационных излучений. [11]
Необходимость тщательного соблюдения условий проведения технологического процесса при создании тонкопленочных хромовых резисторов с хорошей стабильностью и воспроизводимостью одно время охладили интерес разработчиков и технологов к этому материалу; вместо хрома стал широко использоваться нихром. Однако в последнее время хром вновь привлекает внимание исследователей благодаря тому, что при некоторых технологических операциях он одновременно может нести и дополнительную функциональную нагрузку, выступая в качестве и резистивного и адгезионного слоя. [12]
 |
Схема частотно-компенсированного делителя с коррекцией характеристики по моментам распределения постоянных времени второго порядка. [13] |
Приведенные здесь данные позволяют оценить, насколько актуальна проблема создания прецизионных безреактивных резисторов. Разработка резисторов, например, на основе пленочной технологии с погрешностью не более 0 01 - 0 02 % позволяет практически исключить погрешности АЦП на дополнительных пределах измерения; эти погрешности в некоторых случаях намного превышают погрешность всего измерительного тракта. [14]
Кроме этого, однако, в микроэлектронике применяются непосредственно создаваемые разисторы и конденсаторы. Для создания резисторов, например, используют полупроводниковый образец, у которого в л-области имеется полоска / - типа. [15]
Страницы: 1 2