Создание - резистор
Cтраница 2
Поскольку все элементы изготовляются в едином технологическом процессе, эпитаксиальные и диффузионные слои, образующие области различных элементов, имеют одинаковые параметры. Так, для создания резисторов используют обычно те слои, которые образуют эмиттер или базу транзистора, а для создания диодов и конденсаторов - те же переходы, что и IB структуре транзистора. Так как транзисторная структура является наиболее сложной и определяющей в конструкции микросхемы, все предназначенные для реализации других элементов слои и переходы называются в соответствии с областями транзистора независимо от того, в каком элементе они используются. Технологические методы и тип конструкции полупроводниковых микросхем обычно классифицируют по способам получения областей и переходов транзисторной структуры. [16]
 |
Изменение сопротивления и ТКС танталовых пленок малой плотности при тепловой обработке. [17] |
Ряд других вентильных металлов также был исследован с точки зрения возможных применений их в качестве материала для тонкопленочных резисторов. По-видимому, любой из этих материалов может быть использован для создания достаточно хороших резисторов, обладающих большинством характеристик тантала. [18]
Резисторы ГИССВЧ получают из тантала, нитрида тантала или хромоникелевых пленок. В схемах, где применяются конденсаторы на основе окиси тантала, предпочтительно использовать для создания резисторов тантал, так как этапы создания резисторов и конденсаторов будут выполняться одновременно и резистивные элементы могут быть покрыты защитным слоем окиси тантала. Никельхромовые пленочные резисторы защищают слоем напыленной моноокиси кремния, это улучшает стабильность их характеристик во времени. [19]
Резисторы ГИССВЧ получают из тантала, нитрида тантала или хромоникелевых пленок. В схемах, где применяются конденсаторы на основе окиси тантала, предпочтительно использовать для создания резисторов тантал, так как этапы создания резисторов и конденсаторов будут выполняться одновременно и резистивные элементы могут быть покрыты защитным слоем окиси тантала. Никельхромовые пленочные резисторы защищают слоем напыленной моноокиси кремния, это улучшает стабильность их характеристик во времени. [20]
 |
Структура гибридной интегральной микросхемы, эквивалентная схема которой показана на рис, 7 1 6. [21] |
Гибридные интегральные микросхемы позволяют использовать преимущества пленочной технологии в сочетании с полупровэднико-вой технологией. Резисторы и конденсаторы, созданные методами пленочной технологии, могут при малой занимаемой площади иметь большие номиналы и малые температурные изменения параметров, зависящие от выбранного резистивного или диэлектрического материала пленок. Контроль скорости осаждения или нанесения пленок в процессе создания резисторов и конденсаторов позволяет изготовлять их с большой точностью и малым разбросом параметров. [22]
Необходимо сказать несколько слов относительно экономической эффективности применения органосиликатных материалов. В настоящее время нет возможности оперировать точными цифрами, так как масштабы применения органосиликатных материалов еще недостаточно велики, а стоимость материалов сравнительно высока. Однако при условии внедрения массовопоточного производства и комплексном рассмотрении вопросов создания резисторов будет обеспечен высокий экономический эффект. [23]
При использовании базового слоя в качестве резистора его изолируют от подложки, охватив этот слой вместе с эпитак-сиальной пленкой со всех сторон и-областью. Сопротивление такого резистора частично определяется поверхностным сопротивлением эпи-таксиального слоя. Второй способ основан на использовании скрытого коллекторного слоя в качестве самоизолированного резистора, контактами которого служат изолирующие и-слои. Такой способ пригоден для создания резисторов только с малым сопротивлением. Наконец, третий способ позволяет формировать пинч-резистор, используя высо-коомный слой, зажатый между эмиттером и скрытым коллектором. [24]
Страницы: 1 2