Создание - большая интегральная схема
Cтраница 1
Создание больших интегральных схем с числом компонентов на кристалле более 1000 требует выполнения следующих условий: площадь одного логического элемента должна быть не более ( 1 - 5) - 103 мкм2, рассеиваемая мощность - 100 - 500 мкВт / бит. [1]
Впервые создание больших интегральных схем ( БИС) было достигнуто по схехМотехнике / 7 - МОП, высокая степень интеграции которой позволила разместить на кристалле большое число элементов. Затем была достигнута необходимая степень интеграции схемотехники п МОП, обладающей более высоким быстродействием. [2]
 |
Плоский корпус с пла-нарными выводами. [3] |
Проблема создания большой интегральной схемы упирается по существу в два основных вопроса: процент выхода годных микросхем и выделяемая мощность. [4]
 |
Принципиальная схема двухтактной импульсной ЛЗ на МОП-транзисторах н временные диаграммы, поясняющие работу. [5] |
При создании больших интегральных схем наибольшее распространение получили МОП-транзисторы с индуцированным каналом при заземленной подложке, которые и рассматриваются в дальнейшем. [6]
Лазерное излучение используют для стимулирования р-ций в твердых телах, в частности при создании больших интегральных схем в микроэлектронике. Решающий фактор-возможность острой фокусировки лазерного излучения и гибкого управления им. [7]
Успехи в области интегральной технологии, достигнутые за последние 8 - 10 лет, привели к созданию больших интегральных схем ( БИС), содержащих десятки тысяч элементов на одном кристалле. [8]
 |
Транзистор с нели - [ IMAGE ] Ячейка ТТЛ с транзистором. [9] |
Разработана также система элементов ТТЛ с низким напряжением питания [9] и, следовательно, малым потреблением мощности, что делает ее полезной для повышения плотности элементов на кремниевом кристалле и создания больших интегральных схем. Схема такой ячейки показана на рис. 8.35, а. Принцип ее работы состоит в следующем. [10]
 |
Статический элемент памяти на МОП-транзисторах. [11] |
В настоящее время кроме ферритовых запоминающих устройств все большее распространение при построении ОЗУ находят полупроводниковые запоминающие элементы. Создание больших интегральных схем позволяет строить такие запоминающие устройства, где на одном кристалле можно хранить 4 - 8 кбайт информации. [12]
Создание больших интегральных схем требует коллективной работы разработчиков интегральных схем и разработчиков ЭВМ и других систем, которым приходится решать многие общие проблемы. [13]
В последнее время происходит процесс совмещения полупроводниковой и пленочной технологии, что дает возможность получать высокую надежность и высокие параметры микросхем. Это создает условия для создания больших интегральных схем ( БИСОВ) - конструктивных элементов машин четвертого поколения. [14]
 |
Структурная схема амплитудного анализатора импульсов. [15] |
Страницы: 1 2