Создание - большая интегральная схема
Cтраница 2
С развитием ЭВМ и созданием больших интегральных схем ситуация резко изменилась. [16]
 |
Интегральная схема. г з i 4 s в. [17] |
Технология производства интегральных схем создает условия для внедрения метода группового производства, большие преимущества которого заключаются в одновременном изготовлении большого числа микросхем. Метод группового производства открывает широкие возможности по созданию больших интегральных схем ( БИС), когда одна такая схема может выполнять функции целого устройства. [18]
Микроэлектроника является логическим продолжением развития элементной базы радиоэлектронной аппаратуры. К первому этапу этого развития относятся электронные лампы и другие электровакуумные приборы, ко второму - полупроводниковые приборы, к третье-ему - интегральные микросхемы. В настоящее время происходит четвертый этап развития - создание больших интегральных схем; наметились основы развития пятого этапа - функциональной электроники. [19]
Изображенные на рис. г и д DCFL ( direct coupled FET logic) - схема на полевых транзисторах с прямыми связями и с сопротивлением нагрузки и E / D ( enhancement / depletion - обогащение / обеднение) DCFL-схема отличаются простотой конструкции, малым потреблением энергии и повышенной степенью интеграции, однако усиление мощности в них невысокое, кроме того, они имеют недостаточное быстродействие. ОВ, для которой допускается большой разброс порогового напряжения Vt. С этой точки зрения такая схема очень удобна для создания больших интегральных схем. [20]
Изложены основы схемотехники и принципы построения логических и других схем на базе S-диодов и связанных по объему S-диодпых структур. Описаны нейроноподобные активные линии - нейристоры, триггеры, основные логические схемы и некоторые узлы устройств вычислительной техники. Описаны основные достоинства этого нового направления полупроводниковой электроники, к числу которых относится простота резервирования, обеспечивающая существенно большую надежность, большая технологичность в создании больших интегральных схем и некоторые другие. [21]
В книге рассмотрены вопросы конструирования и технологии производства гибридных тоикопленочиых микросхем. Описаны элементы тоикоплеиочиых микросхем, материалы для их изготовления. Представлены необходимые сведения для расчета элементов. Рассмотрены методы, технология и оборудование для изготовления тонкопленочиых слоев, рисунка элементов схемы, а также вопросы технологии сборочио-монтажных работ. Отдельно рассмотрены проблемы создания многокристальных больших интегральных схем. [22]
Полевые транзисторы ( ПТ) - это транзисторы, свойства которых совершенно отличаются от свойств обычных транзисторов, называемых также биполярными, чтобы подчеркнуть их отличие от ПТ. Как следует из названия, в ПТ управление током осуществляется электрическим полем, создаваемым приложенным напряжением, а не с помощью тока базы. Поэтому в управляющем электроде ( затвор) практически нет тока, за исключением токов утечки. Получаемое, как следствие этого, высокое входное полное сопротивление ( оно может быть больше 1014 Ом) существенно во многих применениях и в любом случае упрощает проектирование схем. В качестве аналоговых переключателей и усилителей со сверхвысоким входным полным сопротивлением ПТ не имеют себе равных. Полевые транзисторы целесообразно использовать в качестве резисторов, управляемых напряжением ( нелинейных резисторов), и источников тока. Так как на малой площади в ИМС может быть размещено большое число ПТ, то они особенно полезны для создания больших интегральных схем ( БИС), применяемых в цифровой технике, таких, как микрокалькуляторы, микропроцессоры и устройства памяти. Плюс к тому недавнее появление сильноточных ПТ ( 10 А или более) означает, что ПТ могут заменить биполярные транзисторы во многих применениях, часто приводя к упрощению схем и улучшению их параметров. Однако, прежде чем вводить ПТ вместо биполярных транзисторов для улучшения режима работы схемы, надо очень тщательно проверить, что это улучшение вы действительно получите. Использование полевых транзисторов связано с рядом тонких вопросов, которые мы сейчас и рассмотрим достаточно полно и тщательно. [23]
Страницы: 1 2