Изложенные соображения
Cтраница 2
 |
Зависимость константы скорости мрномолекулярно-го распада азометана от давления ( по данным Рамспергера. [16] |
Изложенные соображения можно рассмотреть математически. [17]
Изложенные соображения, кроме теоретического интереса, позволяют сделать один практический вывод. [18]
Изложенные соображения не относятся к переходу системы нейтрон - - протон из синглетного состояния 150 в три-плетное состояние 35г, сопровождающемуся излучением магнитного дипольного - у - кванта. Нейтроны с моментом / 0 ( S - нейтроны), которые испытывают лобовое столкновение с протонами, могут поглощаться последними, причем излишек энергии будет излучаться в виде магнитного дипольного lf - кванта. [19]
Изложенные соображения можно более выпукло представить, выбрав иную систему канонических переменных, представляющих рассматриваемую систему. [20]
Изложенные соображения представляют собой, по существу, другой аспект того же положения, которое приводит к возникновению доменной структуры в сегнетоэлектриках и ферромагнетиках. Это своеобразное состояние сверхпроводника называется промежуточным. По мере увеличения § общий объем нормальных слоев возрастает, пока при НС тело не перейдет целиком в нормальное состояние. [21]
Изложенные соображения приводят к следующим выводам: во-первых, увеличение диаметра ротора в двух наиболее естественных случаях ведет к более чем пропорциональному возрастанию производительности центрифуги. [22]
Изложенные соображения в основном относятся главцым образом к выбору приспособления из числа общеизвестных и проверенных конструкций, стоимость которых уже практически установлена. [23]
Изложенные соображения классические, но они не дают никакого ключа для выяснения реальной ситуации. Оказывается, однако, что скейлинговые соображения являются таким ключом. [24]
Изложенные соображения о формировании дисперсных частиц позволяют объяснить структурные особенности тонких ( неутоненных) композиций. [25]
 |
Атомные решетки а - 10в. a2vu - lCH2. и0100. [26] |
Изложенные соображения, основанные на применимости к полупроводникам формулы ( 1), позволяют сформулировать те требования, которым должна удовлетворять полупроводниковая термобатарея, чтобы достигнуть высокого кпд. [27]
Изложенные соображения не исключают еще возможности следующей ситуации. [28]
Изложенные соображения имеют, очевидно, общий характер и относятся к любым быстро меняющимся величинам ( фазам), пробегающим значения в конечных интервалах. [29]
Изложенные соображения представляют собой, по существу, другой аспект того же положения, которое приводит к возникновению доменной структуры в сегнетоэлектриках и ферромагнетиках. Это своеобразное состояние сверхпроводника называется промежуточным. По мере увеличения § общий объем нормальных слоев возрастает, пока при НС тело не перейдет целиком в нормальное состояние. [30]
Страницы: 1 2 3 4