Cтраница 1
Соотношение скоростей образования и распада ст-комплекса может быть различным для разных соединений, так что закономерности, обнаруженные для пентаметилбензола, нельзя распространять на другие соединения. [1]
Как влияет соотношение скоростей образования и роста кристаллов на структуру электроосажденного металла. [2]
Экспериментально установлено [97] соотношение скоростей образования 1 2 3 - ТХП и ДХГ, равное 0.12, которое в пределах 20 - 40 С не зависит от температуры. [3]
Последняя зависит от соотношения скоростей образования и гибели свободных радикалов. Следовательно, для управления процессом окисления следует научиться уменьшать концентрацию перекисных радикалов. На этом основан механизм действия различных добавок, приводящих в итоге к замедлению окисления, о чем будет указано ниже. [4]
![]() |
Увеличение удельного сопротивления электролита в зависимости от газонаполнения. [5] |
Газонаполнение электролита определяется соотношением скорости образования газовых пузырьков в электродном пространстве ячейки в процессе электролиза и скорости удаления их из электролита. Оно повышается также при уменьшении межэлектродного расстояния и объема электродного пространства. [6]
Газонаполнение электролита определяется соотношением скорости образования газовых пузырьков в электродном пространстве ячейки в ходе процесса электролиза и скорости удаления пузырьков из электролита. [7]
Газонаполнение электролита зависит от соотношения скоростей образования и роста газовых пузырьков на электродах и отвода и отделения их от электролита. [8]
Размер частиц зависит от соотношения скоростей образования зародышей и их роста. При небольших степенях пересыщения обычно образуются крупные частицы, при больших-мелкие. Предварит, введение в систему зародышей кристаллизации приводит к образованию практически монодисперсных С. Уменьшение дисперсности м.б. достигнуто результате изотермич. [9]
Величина зерна осадка определяется соотношением скоростей образования зародышей и роста уже существующих кристаллов. Чем больше вероятность образования зародышей, тем больше их возникает в единицу времени и тем ( при прочих равных условиях) мельче кристаллы катодного осадка. Из уравнения ( XI14) - следует, что вероятность зарождения центров кристаллизации увеличивается с ростом поляризации - Др. Все факторы, увеличивающие поляризацию, способствуют зарождению новых центров и, следовательно, получению мелкокристаллических осадков. [10]
![]() |
Схематические поляризационные кривые для совместного восстановления четырех металлов. [11] |
Величина зерна осадка определяется соотношением скоростей образования зародышей и роста уже существующих кристаллов. Чем больше вероятность образования зародышей, тем больше их возникает в единицу времени и тем ( при прочих равных условиях) мельче кристаллы катодного осадка. Из уравнения ( XI, 14) следует, что вероятность зарождения центров кристаллизации увеличивается с ростом поляризации - Дер. [12]
Величина зерна осадка определяется соотношением скоростей образования зародышей и роста уже существующих кристаллов. Чем больше вероятность образования зародышей, тем больше их возникает в единицу времени и тем ( при прочих равных условиях) мельче кристаллы катодного осадка. Из уравнения ( XI14) следует, что вероятность зарождения центров кристаллизации увеличивается с ростом поляризации - Дер. Все факторы, увеличивающие поляризацию, способствуют зарождению новых центров и, следовательно, получению мелкокристаллических осадков. [13]
Величина частиц осадка зависит от соотношения скорости образования зародышей кристаллизации и скорости ориентации ионов в кристаллической решетке, определяющей образование кристалла. [14]
Размер кристаллов твердой фазы определяется соотношением скорости образования и роста кристаллических зародышей. В зависимости от режима достижения пересыщенного состояния системы ( скорость охлаждения, скорость удаления растворителя, перемешивание) могут быть получены кристаллы самых различных размеров. Кристаллизация из переохлажденных растворов / когда скорость образования кристаллических зародышей существенно превосходит скорость роста кристаллов, благоприятствует получению мелкокристаллических осадков. Наличие в системе готовой поверхности раздела фаз ( стенки сосуда, суспендированные кристаллы) облегчает образование кристаллических зародышей и препятствует достижению пересыщенного состояния. [15]