Изготовление - полупроводниковый прибор
Cтраница 3
При изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем процессы химической обработки занимают достаточно большой объем от числа всех технологических операций. [31]
При изготовлении полупроводниковых приборов качество продукции в значительной мере определяется чистотой, температурой, влажностью и подвижностью воздуха в помещениях, главным образом в сборочных цехах, где производятся наиболее ответственные операции. [32]
При изготовлении полупроводниковых приборов часто приходится сталкиваться с необходимостью вытравливания в кристаллах различных углублений, рисок, канавок и удаления отдельных слоев. В этом случае целесообразно использовать электрохимическое травление, так как химическое травление требует дополнительной защиты поверхности на отдельных участках, что вносит целый ряд осложнений. [33]
 |
Схемы контактной микросварки при присоединении электродных выводов.| Схема микросварки при изготовлении пленочных микро - коваровой ЛСНТЫ схем. [34] |
При изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем выполнение операций сварки сопряжено со специфическими трудностями, связанными с необходимостью точного совмещения сварочного инструмента с контактной площадкой. [35]
При изготовлении полупроводниковых приборов вакуумное напыление используют для: нанесения на пластины кремния различных диффузантов ( в основном алюминия, золота, бора); получения на пластинах с локальной защитой электродных навесок; напыления на пластины металлических контактов ( на всю поверхность пластин и локально - через маску); напыления на пластины защитных масок. [36]
При изготовлении полупроводниковых приборов, на характеристики которых оказывает влияние кристаллографическое направление исходной монокристаллической заготовки, метод фигур травления получил широкое применение. [37]
При изготовлении полупроводниковых приборов широко применяются различные припои. Выбор припоя производят в зависимости от материала, подлежащего пайке. Например, для припаи-вания к луженым выводам используют эвтектический оловянно-свинцовый припой, к золоту - припой на основе золота; к германию и-типа - припой с примесью мышьяка, а к германию р-типа - припой с примесью индия. [38]
 |
Схема арго-но-дуговой сварки мембраны.| Сварка сильфона с фланцем. [39] |
При изготовлении полупроводниковых приборов приварка герметизирующих корпусов является одной из заключительных операций. [40]
 |
Приемы герметизации корпусов приборов холодной сваркой. [41] |
При изготовлении полупроводниковых приборов приварка герметизирующих корпусов является одной из заключительных операций, направленной на обеспечение роботоспособности интегральной микросхемы в процессе хранения и длительной эксплуатации. [42]
 |
Установка для получения монокристаллов по методу Чохральского. [43] |
Однако для изготовления полупроводниковых приборов необходим германий с резко выраженной проводимостью электронного или дырочного типа. [44]
Иногда для изготовления полупроводникового прибора используют комбинацию диффузионных методов, позволяющую получить р - п переходы заданной геометрии и с требуемыми параметрами. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5