Изготовление - полупроводниковый прибор
Cтраница 4
В технологии изготовления полупроводниковых приборов одной из самых важных и многократно повторяющихся операций является травление. [46]
В технологии изготовления полупроводниковых приборов серебро используют в основном в качестве составной части электродных сплавов для германия и кремния; как основа большой группы твердых ( высокотемпературных) припоев для пайки металлов, так называемых серебряных припоев; для предварительного гальванического серебрения деталей перед пайкой их мягкими припоями. [47]
Пайка при изготовлении полупроводниковых приборов, как правило, не связана с воздействием свинца. [48]
Наиболее часто для изготовления полупроводниковых приборов используются германий и кремний. [49]
Современные технологические методы изготовления полупроводниковых приборов позволяют создать КВТ практически на те же рабочие токи и напряжения, которые имеют обычные тиристоры. При этом, конечно, рабочая площадь КВТ будет примерно на 30 % меньше, чем у низкочастотного тиристора при одинаковых размерах исходной пластины кремния. Однако при увеличении рабочей частоты это различие уменьшается ( так как высокочастотный тиристор также имеет разветвленный электрод управления) и, как показывают несложные оценки, при 10 кГц рабочие площади становятся примерно одинаковыми. [50]
Особенность влияния технологии изготовления полупроводниковых приборов на их надежность заключаются в том, что ряд нарушений, сделанных в процессе производства, практически невозможно обнаружить на готовом приборе, даже при самом тщательном его испытании на срок службы, и выявляются они в процессе эксплуатации, иногда через значительное время. Поэтому изменения в установившейся технологии требуют тщательной проверки на готовых приборах в процессе эксплуатации, либо на стендах срока службы. [51]
В технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов имеется много операций, связанных с химической и электрохимической обработкой полупроводниковых материалов. Рассмотрим химическую, химико-динамическую и электрохимическую обработки полупроводниковых пластин и кристаллов, а также электролитическое травление кристаллов с электронно-дырочными переходами и оборудование, применяемое при этих операциях. [52]
Так называют метод изготовления полупроводниковых приборов путем эпитакси-ального осаждения пленок полупроводникового материала на подложку из полупроводникового материала. [53]
 |
Кристаллическая структура ( а и энергетические зоны ( б чистого германия. [54] |
Основными материалами при изготовлении полупроводниковых приборов являются германий и кремний. Многие свойства этих элементов IV группы периодической системы Менделеева аналогичны, поэтому дальнейшее изложение будет вестись применительно к германию. [55]
Разрезка на заготовки для изготовления полупроводниковых приборов также производится алмазными, но несколько более тонкими пилами, и в этом случае, как правило, объединяются несколько пил ( как показано на фиг. В последнее время появился другой способ нарезки тонких слоев германия на заготовки, при котором на слой наносятся царапины, так же как при разрезании стекла, а затем слой разламывается на отдельные кусочки. [56]
Примесные полупроводники применяются для изготовления полупроводниковых приборов. [57]
Какие материалы применяются для изготовления полупроводниковых приборов. [58]
 |
Неравномерное легирование полупроводника.| Диффузионные и а рейфовые токи в пластине с неравномерным распределением примеси. [59] |
В полупроводниковой технике для изготовления полупроводниковых приборов часто используют неоднородные полупроводники, получаемые в результате неравномерного легирования полупроводниковых пластин примесями. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5