Сопротивление - диод
Cтраница 3
Сопротивление диода в запорном направлении обычно имеет величину порядка нескольких мегом, поэтому общий ток в цепи чрезвычайно мал. [31]
 |
Схемы диодных вольтметров. [32] |
Ri-внутреннее сопротивление диода), то показания измерителя будут пропорциональны средневыпрямленному значению Иа одной полуволны их за период. [33]
Обычно сопротивление диода в прямом направлении очень мало. [34]
Измерение сопротивления диода в прямом и обратном направлениях может быть выполнено и в схеме устройства при снятом напряжении питания. При этом следует учитывать возможное искажение замеров за счет параллельно подключенного сопротивления нагрузки. [35]
 |
Условное обозначение логического элемента типа ИЛИ.| Диодно-реостатная схема типа ИЛИ. [36] |
Так как сопротивление диода в прямом направлении мало, то выходной импульс имеет амплитуду, примерно равную амплитуде входного. [37]
 |
Нелинейная модель биполярного транзистора. [38] |
При этом сопротивление диода мало и обратный ток через него велик. По мере рассасывания заряда восстанавливается свойственное диоду высокое обратное сопротивление и обратный ток уменьшается до своего статического значения. Время восстановления tB зависит от предшествовавшего запиранию прямого тока ( рис. 2.7, б), величины и формы запирающего сигнала. [39]
 |
Преобразование импульсов, модулированных по длитель -. ности, в импульсы, модулированные по амплитуде. [40] |
RK - сопротивление диода), вследствие чего по катушке довольно продолжительное время протекает ток и из-за этого, например, может нежелательным образом увеличиться время отпускания реле. [41]
Пр - сопротивление диода прямому току; его измеряют методом вольтметра - амперметра ( или омметром) при приложении к диоду прямого напряжения; оно сильно зависит от этого напряжения. На этикетках некоторых точечных диодов указывают наибольшее возможное прямое сопротивление, упоминая, при каком напряжении оно должно измеряться. [42]
Следовательно, сопротивление диода с тонкой базой под действием магнитного поля изменяется только в результате изменения подвижности неосновных носителей заряда в базе диода. Из сравнения выражений (14.15) и (14.7) видно, что изменение тока, проходящего через диод с тонкой базой, или изменение его сопротивления в магнитном поле значительно меньше, чем в магниторезисторе. Таким образом, диоды с тонкой базой нецелесообразно использовать в качестве магниточувствительных полупроводниковых приборов - магнитодиодов. [43]
Физически уменьшение сопротивления диода во включенном состоянии объясняется тем, что две внутренние области его насыщаются носителями тока ( область п - электронами, пришедшими из области 2, и область р2 - дырками, пришедшими из области pi), вследствие чего все три перехода оказываются смещенными в прямом направлении. [44]
 |
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5