Cтраница 4
Судить о сопротивлении диода мржно по падению напряжения на нем и току через него. [46]
В этом случае сопротивление диода постоянному току для внешнего источника получается отрицательным. [47]
Эти примеси уменьшают сопротивление диода в направлении прохождения тока и компенсируют действие других примесей, вызывающих повышение сопротивления диода. [48]
Последействия отрицательного перепада сопротивление диода в течение некоторого времени, пока в базе имеется накопленный неравновесный заряд, продолжает оставаться малым. Поэтому через диод сразу после перепада будет проходить обратный ток, величина которого / 2 ж E2 / R в течение некоторого времени остается примерно постоянной. Только после удаления неравновесного заряда под действием тока / 2 и вследствие рекомбинации неосновных носителей сопротивление диода увеличивается до стационарной величины доор и ток Диода постепенно спадает до величины / д обр. Это время в основном и определяет влияние инерционности диода на быстродействие ключей. [49]
![]() |
Реализация функции ИЛИ на элементе Т106. [50] |
В открытом состоянии сопротивление диода не равно нулю и потенциал сигнала 1 на выходе ниже входного. [51]
В обратном направлении сопротивление диода должно быть во много раз больше, чем в прямом. Для исправных селеновых и купроксных диодов и выпрямительных столбов отношение величин обратного сопротивления к прямому обычно равно 100 - 300, а для германиевых и кремниевых диодов - несколько десятков тысяч. Проверяя селеновые и купроксные столбики, лучше испытывать каждую шайбу в отдельности, чтобы затем удалить неисправные. [52]
В проводящий полупериод сопротивление диода намного меньше сопротивления нагрузочного резистора, поэтому для проводящего полупериода справедливо неравенство ид g ы, а для идеального диода справедливо утверждение об отсутствии напряжения на диоде. Ваш ответ неправильный, так как в поставленном вопросе не оговариваются условия только проводящего полупериода. Вернитесь еще раз к вопросу 6.2, подумав предварительно, что можно сказать о напряжении на диоде в непроводящий полупериод. [53]
При отрицательном напряжении сопротивление диода очень мало, так как это соответствует сопротивлению диода в прямую сторону. Максимальное значение тока через диод ограничивается его разогревом. [54]
![]() |
Диодно-резисторная схема с разделительным конденсатором в цепи выхода. [55] |
В запертом состоянии сопротивление диода становится больше, чем сопротивление резистора Я, и почти все напряжение прикладывается к обратному сопротивлению диода. [56]
В области пробоя сопротивление диода вновь резко уменьшается и необходимо регулировать ток. Эту область характеристики надо исследовать осторожно во избежание повреждения диода. [57]
![]() |
Схема транзисторного генератора на фиксированную частоту f.| Высокостабильный генератор низкой частоты. [58] |
При таком включении сопротивление диодов уменьшается при увеличении амплитуды как положительной, так и отрицательной полуволны переменного напряжения. Транзистор Т в этой схеме должен иметь возможно большее ( 3, потому что часть генерируемого напряжения теряется в цепи связи. [59]
Объяснить, почему сопротивление диода постоянному току не равно сопротивлению диода переменному току. [60]