Сопротивление - открытый канал
Cтраница 1
 |
Схема подключения светодиода к логическому элементу и диаграммы входных сигналов ( к задаче. [1] |
Сопротивления открытых каналов МОП-транзисторов 400 Ом; сопротивления закрытых каналов считать бесконечно большими. [2]
Увеличение сопротивления открытого канала полевого ключа с ростом температуры является одним из условий термоустойчивости. [3]
ИМС этого типа содержит транзисторы только с определенным отношением сопротивления открытого канала. Конденсаторы специально не создаются, а используются паразитные емкости под затворами транзисторов. Схема имеет один постоянный источник питания Un и управляется двухтактной серией синхронизирующих импульсов Ф1 и Ф2, сдвинутых по фазе. [4]
 |
Использование транзисторных ключей с нормирующими усилителями в микросхеме КС1054ХА4. [5] |
Особенностью ключей на полевых транзисторах с изолированным затвором является сильная зависимость сопротивления открытого канала от коммутируемого сигнала, что приводит к модуляции проводимости канала входным сигналом и возникновению дополнительных нелинейных искажений. Для снижения искажений, вызванных модуляцией проводимости канала, в таких ключах ограничивают уровень входных сигналов и используют сравнительно большое сопротивление нагрузки ключа. Аналогичный эффект имеется и в полевых транзисторах с управляющим / - л-переходом, однако для его снижения на затвор подают сигнал управления, зависящий от входного сигнала. [6]
Из выражения (4.13) следует, что для получения больших значений этого параметра необходимо иметь меньшую величину сопротивления полностью открытого канала Rio или большую удельную проводимость исходного материала. В то же время концентрация примесей и, соответственно, носителей заряда в канале должна быть небольшой, чтобы при увеличении напряжения на p - n - переходе он расширялся в сторону канала. Таким образом, для получения больших значений крутизны характеристики желательно при изготовлении полевого транзистора выбирать материал с большей подвижностью носителей заряда. [7]
Схема логического элемента с тремя состояниями на выходе приведена на рис. 5.17. На входы ЛЭ подаются сигналы в соответствии с рис. 5.19. Сопротивления открытых каналов каждого из транзисторов Т1, Т2, ТЗ и Т4 равны 400 Ом. Схема подключения нагрузки показана на рис. 5 Л 7 и соответствует положению III переключателя на выходе элемента. [8]
Задача 5.41. Светодиод подключен к выходу логического элемента 2И - НЕ на КМОП-транзисторах как показано на рис. 5.15. Определить сопротивление R, необходимое для обеспечения рабочего тока диода 30 мА, если Uai С / п2 5 В; R6 0; / г21э транзистора VT равно 50; рабочее напряжение диода составляет UD 1 6В; t / бэ открытого транзистора равно 0 7 В. Сопротивления открытых каналов МОП-транзисторов 100 Ом; сопротивления закрытых каналов считать бесконечно большими. [9]
 |
Ключи. а - на р-канальном МОП-транзисторе. б - на КМОП. [10] |
У многих транзисторов при большом отрицательном напряжении на затворе сопротивление открытого канала снижается до 10 - 1000 Ом, а при нулевом или положительном напряжении на затворе сопротивление канала достигает 10 - 100 МОм. Следует отметить, что с увеличением отрицательного входного сигнала внутреннее сопротивление открытого ключа на р-канальном транзисторе несколько увеличивается. [11]
Отметим, что в справочниках по полевым транзисторам обычно приводятся не все, а только некоторые из рассмотренных характеристик. Для мощных полевых транзисторов, работающих в ключевом режиме, обычно приводится значение сопротивления открытого канала, максимальный ток стока и предельное напряжение на стоке. [12]
При этом сопротивление отпертого транзистора складывается из последовательно включенных сопротивлений пассивных областей истока и стока и сопротивления открытого канала. Сумма этих трех сопротивлений у маломощных кремниевых полевых транзисторов обычно составляет сотни ом. [14]
На рис. 6.18. представлена схема одновибратора ( ждущего мультивибратора) на логических элементах 2И - НЕ на КМОП-транзис-торах. Схемы элементов ЛЭ1 и ЛЭ2 представлены на рис. 5.6. Определить время импульса одновибратора, если С 1 мкФ; RI 900 Ом; RZ 100 Ом; сопротивление открытого канала МОП-транзистора равно Дпт 200 Ом. [15]
Страницы: 1 2