Cтраница 2
Микросхемы представляют собой четырехканальный аналоговый ключ со схемой управления, двухполюсное переключение ( 2DPDT) и предназначены для коммутации цифровых и аналоговых сигналов в системах сбора и обработки информации, АЦП и ЦАП. Совместимы со схемами ТТЛ. Имеют слабую зависимость сопротивления открытого канала от коммутируемого напряжения. [16]
Однако в двухступенчатом коммутаторе существенно меньше погрешность от токов утечки закрытых ключей и меньше задержки, обусловленные перезарядом паразитных емкостей. В двухступенчатом коммутаторе подобное смещение вызывается падением напряжения от токов утечки семи закрытых каналов соответствующего переключателя первой ступени на сопротивлении открытого канала этой ступени, а также падением напряжения от токов утечки закрытых каналов второй ступени на суммарном сопротивлении открытых каналов первой и второй ступени. Так что для двухступенчатого коммутатора это смещение будет равно ртгот 7 1уг 2 - 1гот21 - 1 т е - в 3 раза меньше, чем для одноступенчатого. [17]
Эти очевидные преимущества первых промышленных образцов мощных полевых транзисторов вызвали к середине 70 - х годов настоящую эйфорию, позволившую говорить о вытеснении и полной замене широко распространенных биполярных транзисторов во многих областях применения. Однако на практике все оказалось не так просто. Оказалось, что из-за высокого температурного коэффициента сопротивление открытого канала практически удваивается при температуре кристалла близкой к 150 С. [18]
Мощные МДП-транзисторы имеют структуры с индуцированным каналом, в которых для перехода прибора в открытое состояние необходимо осуществить инверсию проводимости канала, расположенного непосредственно под управляющим затвором. Это обеспечивается подачей соответствующего смещения на затвор. Для п-канального транзистора напряжение смещения является положительным, а для р-канального соответственно отрицательным. Рассмотренные типы ячеек относятся к л-канальным транзисторам, которые находят более широкое применение в силу преимуществ электронной проводимости. Положительное напряжение на затворе наводит в слое диэлектрика, изолирующего затвор от канала, электрическое поле, которое притягивает из глубины р-области электроны По мере накопления этих электронов в приповерхностной части р-области происходит инверсия проводимости, т.е. образование обогащенного электронами канала. При этом между стоком и истоком транзистора образуется свободный канал Для протекания рабочего тока Открытое состояние ключа характеризуется прямым падением напряжения между стоком и истоком, которое в свою очередь зависит от сопротивления открытого канала. [19]