Сопротивление - коллектор
Cтраница 2
В результате сопротивление коллектора имеет меньшую величину, чем сопротивление запертого электронно-дырочного перехода. [16]
При этом сопротивление коллектора уменьшается от нескольких сотен до нескольких десятков или единиц ом. Для образования скрытого слоя производят диффузию примесей ( например, мышьяка) в отдельные места подложки еще до выращивания эпитаксиального слоя. Создается сильно насыщенная область n - типа. Этот же прием может быть использован для уменьшения контактного сопротивления при присоединении элементов ИС к алюминиевым соединительным дорожкам. [17]
При измерении сопротивления коллектора, как и в предыдущем случае, источник сигнала подключают на выход транзистора. Напряжение ик измеряют непосредственно на коллекторе транзистора, а ток iK - по падению напряжения в цепи базы 1 ком. [18]
Ими являются: сопротивление коллектора, сопротивление эмиттера, сопротивление базы, параметр обратной передачи [ лэк и параметры прямой передачи а и В. [19]
Для плоскостных триодов сопротивление коллектора обычно превышает 0 2 - 1 Мом. [20]
 |
Схема полевого транзистора с р - - переходом ( а и конструкция для расчета параметров ( б. [21] |
В режиме экстракции сопротивления коллектора и эмиттера заметно больше, чем в режиме инжекции. Граничная частота в режиме экстракции может быть несколько выше, чем в режиме инжекции. [22]
Объяснение физического смысла сопротивления коллектора аналогично объяснению наклона статических выходных характеристик в схеме с общей базой ( см, § 5.5), Там же на рис. 5.9, б показано изменение количества инжектированных носителей при изменении напряжения на коллекторе, в результате чего меняется ток рекомбинации. [23]
Следует отметить, что сопротивление коллектора триода в области насыщения весьма мало по величине и составляет единицы или десятки ом. [24]
Малость длительности активного этапа и сопротивления коллектора гнас позволяет при определении параметров контура для оптимального режима представить транзистор в виде идеального ключа с сопротивлением гнас О ( рис. 1.25, а), который коммутируется с частотой возбуждающего напряжения. [25]
Из (4.48) следует, что сопротивление коллектора г к в схеме ОЭ в ( 1 В) раз меньше, чем в схеме ОБ. [26]
Можно показать, - что сопротивление коллектора практически не влияет на высокочастотные параметры, поскольку оно зашунтировано коллекторной емкостью, импеданс которой уже на сравнительно низких частотах меньше гк. [27]
Основными параметрами плоскостных триодов являются сопротивление коллектора, сопротивление эмиттера, сопротивление базы, коэффициент усиления по току, фактор шумов, обратный ток коллектора и емкость коллектора. [28]
Rd - ap - соответственно сопротивление коллектора транзистора ПП3 в схеме с обдей базой и дифференциальное сопротивление опорных диодов Д двухполюсника, которые включены в прямом направлении; Rlt 7.2 - сопротивления базы и эмиттера двухполюсника. [29]
 |
Семейства статических входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5