Сопротивление - коллектор
Cтраница 4
Вообще говоря, триоды с р-п-р-переходами характеризуются несколько меньшими значениями сопротивления коллектора, чем триоды и-р-п-типа. По той же причине на электрические свойства триодов с и-р-я-переходами сравнительно больше влияет длительное пребывание во влажном воздухе. [46]
 |
Схема проникновения фильтрата промывочной жидкости в слоисто-неоднородный пласт и изменение его сопротивления ( по М. Гондоуну, А. Хейму. [47] |
По данным Л.И. Орлова, А.В. Ручкина и Н.М. Свих-нушина, за счет кольматадии сопротивление коллектора может увеличиваться на 5 - 40 % пропорционально степени глинизации перового пространства, амплитуда ПС уменьшается вплоть до полного исчезновения, возможно также и уменьшение А дк - Глубина зоны кольма-тации в коллекторах порового типа не превышает 12 - 16 мм и зависит от состава твердой фазы промывочной жидкости. [48]
 |
Габаритные размеры типовых секций в мм. [49] |
При последовательном соединении нескольких секций гидравлическое сопротивление теплообменников увеличивается за счет сопротивления коллектора и распределителей, которое зависит от их конструкции и может составлять значительную долю в общем сопротивлении теплообменника. [50]
Пробой характеризуется стремлением в бесконечность тока / м или равенством нулю сопротивления гк коллектора транзистора. [51]
 |
Эквивалентные схемы для расчета компонентов полного тока шумов. [52] |
Это позволяет пренебречь в эквивалентной схеме транзистора ( рис. 4.21) сопротивлением коллектора гк и упростить дальнейшие выкладки. [53]
Дсм - сопротивление в цепи смещения; Нб-сопротивление базы; Лк - сопротивление коллектора. [55]
В ряде случаев внутреннее сопротивление источника сигнала и нагрузочное сопротивление значительно меньше сопротивления коллектора. [56]
Таким образом, из ( 1 - 1) видно, что сопротивление коллектора зависит от режима питания транзистора и имеет сложную зависимость от температуры. [57]
При создании планарно-эпитаксиальных транзисторов образуется скрыть слой N - rana для уменьшения сопротивления коллектора и степени влияния подложки на эту область транзистора. [58]
 |
Зависимость числа носителей заряда от удельного сопротивления германия.| Типовая зависимость сопротивления коллектора плоскостного транзистора от температуры при / к1 ма и. / к Ю в. [59] |
На рис. 1 - 3 и 1 - 4 представлены типовые зависимости сопротивления коллектора от коллекторного тока и напряжения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5