Сопротивление - база - диод
Cтраница 1
 |
Прямые ветви вольт-амперных характеристик германиевого магнито-диода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [1] |
Сопротивление базы диода увеличивается в поперечном магнитном поле в результате уменьшения подвижности основных и неосновных носителей заряда, как и в обычном магниторези-сторе. Увеличение сопротивления базы диода с толстой базой может быть связано также с уменьшением времени жизни неосновных носителей, если из-за искривления траектории движения неосновные носители будут достигать поверхности базовой области, где велика скорость их рекомбинации. [2]
Сопротивление базы диода увеличивается в поперечном магнитном поле в результате уменьшения подвижности основных и неосновных носителей заряда, как и в обычном магниторезисторе. Увеличение сопротивления базы диода с толстой базой может быть связано также с уменьшением времени жизни неосновных носителей, если из-за искривления траектории движения неосновные носители будут достигать поверхности базовой области, где велика скорость их рекомбинации. [3]
 |
Распределение концентрации неосновных и основных носителей заряда в базе диода при включении его в прямом направлении. [4] |
При больших токах необходимо также учитывать сопротивление базы диода. [5]
С ростом температуры окружающей среды из-за ионизации примесей уменьшается сопротивление базы диода и соответственно сопротивление светодиода, включенного в прямом направлении. [7]
 |
Переходные процессы в импульсном диоде. [8] |
Это вызвано повышенным падением напряжения до тех пор, пока инжектированные носители не понизят сопротивления базы диода. [9]
 |
Осциллограммы токов и напряжений ДЛЯ импульсных ДИОДОВ. [10] |
Это вызвано повышенным падением напряжения до тех пор, пока инжектированные носители не понизят сопротивления базы диода. В связи с этим для импульсных диодов вводят параметр - время установления прямого сопротивления или напряжения / уст, равное интервалу времени между началом протекания через диод прямого тока заданной величины и моментом, когда напряжение на диоде достигает 1 2 установившегося значения. [11]
Из соотношения (3.106) видно, что предельная резистивная частота туннельного диода зависит от соотношения сопротивления базы диода и абсолютного значения отрицательного дифференциального сопротивления. [12]
Из соотношения (3.106) видно, что предельная резистивная частота туннельного диода зависит от соотношения сопротивления базы диода и абсолютного значения отрицательного дифференциального сопротивления. Для нахождения экстремальных значений предельной резистивной частоты надо продифференцировать (3.106) по г - и приравнять полученное выражение нулю. [13]
Из соотношения (3.106) видно, что предельная резистивная частота туннельного диода зависит от соотношения сопротивления базы диода и абсолютного значения отрицательного дифференциального сопротивления. [14]
В области прямых напряжений реальная характеристика проходит ниже теоретической, что объясняется падением внешнего напряжения на сопротивлении базы диода ( сопротивлением эмиттера можно пренебречь, так как концентрация примесей в нем значительно больше, чем в базе), которое не учитывалось при выводе уравнения вольтамперной характеристики. Напряжение, действующее на яр-переходе реального диода, определяется соотношением ип и - ir B, где и - внешнее напряжение, под водимое к диоду; г ъ - омическое сопротивление базы. [15]
Страницы: 1 2 3