Сопротивление - база - диод
Cтраница 2
Длительность перезаряда барьерной емкости фотодиода при малом сопротивлении нагрузки определяется постоянной времени Сварив, где ГБ - сопротивление базы диода. Значение постоянной времени Сварив для обычных фотодиодов составляет около 1 не. [16]
Длительность перезаряда барьерной емкости фотодиода при малом сопротивлении нагрузки определяется постоянной времени Сбар / б, где гб - сопротивление базы диода. [17]
 |
Прямые ветви вольт-амперных характеристик германиевого магнито-диода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [18] |
Сопротивление базы диода увеличивается в поперечном магнитном поле в результате уменьшения подвижности основных и неосновных носителей заряда, как и в обычном магниторези-сторе. Увеличение сопротивления базы диода с толстой базой может быть связано также с уменьшением времени жизни неосновных носителей, если из-за искривления траектории движения неосновные носители будут достигать поверхности базовой области, где велика скорость их рекомбинации. [19]
Сопротивление базы диода увеличивается в поперечном магнитном поле в результате уменьшения подвижности основных и неосновных носителей заряда, как и в обычном магниторезисторе. Увеличение сопротивления базы диода с толстой базой может быть связано также с уменьшением времени жизни неосновных носителей, если из-за искривления траектории движения неосновные носители будут достигать поверхности базовой области, где велика скорость их рекомбинации. [20]
Малым должно быть и сопротивление базы диода гб. [21]
 |
Зависимости пробив - Рп - Рпо - & Рп С яо. [22] |
При больших прямых токах в базе полупроводникового диода изменяется концентрация как неосновных, так и основных носителей заряда, появляется электрическое поле, изменяются электрофизические параметры материала базы ( время жизни, подвижность или коэффициент диффузии, удельное сопротивление), изменяются условия как на выпрямляющем, так и на невыпрямляющем контактах. При больших токах необходимо также учитывать сопротивление базы диода. [23]
Амплитуда обратного тока, в свою очередь, зависит от обратного напряжения, поданного на диод при переключении, и от сопротивления базы при условии, что диод работает в схеме с идеальным генератором напряжения. В реальных условиях амплитуда обратного тока определяется ЭДС генератора обратного напряжения и суммой сопротивлений базы диода и внешней цепи. [24]
При приложении к диоду малого прямого напряжения ( рис. 3.35) эффект модуляции сопротивления базы диода из-за малого уровня инжек-ции пренебрежимо мал. Поэтому сопротивление диода в данном случае имеет емкостной характер. По мере заряда барьерной емкости напряжение на / / г-переходе и ток через диод стремятся к некоторым установившимся значениям, которые определяются активной составляющей сопротивления р - / - пе. [25]
При приложении к диоду малого прямого напряжения ( рис. 3.35) эффект модуляции сопротивления базы диода из-за малого уровня инжекции пренебрежимо мал. [27]
При приложении к диоду малого прямого напряжения ( рис. 1.37) эффект модуляции сопротивления базы диода из-за малого уровня инжекции пренебрежимо мал. Поэтому сопротивление диода в данном случае имеет емкостный характер. [28]
Эквивалентная схема показана на рис. 3.8, а. В схеме Ьд - элемент индуктивности, учитывает индуктивности выводов и контактной иглы точечного диода; СКОрп, Сбар, СДф - конденсаторы, характеризующие наличие в диоде емкости корпуса, барьерной и диффузионной емкости перехода; гдиф, JRy и ГБ - резисторы, определяющие дифференциальное сопротивление и сопротивление утечки p - n - перехода, а также сопротивление базы диода. [29]
Осциллограммы импульса прямого тока малой амплитуды и падения напряжения на диоде при питании диода от генератора тока представлены на рис. 3.36. В первый момент пропускания импульса через диод весь ток состоит из емкостной составляющей. Поэтому напряжение на диоде в первый момент определяется падением напряжения на сопротивлении базы диода. По мере заряда барьерной емкости увеличивается и напряжение на диоде. [30]
Страницы: 1 2 3