Сопротивление - пленка
Cтраница 2
 |
Зависимость удельного сопротивления от ТКС для керметов состава.| S. Зависимость ТКС от удельного сопротивления для керметов состава. [16] |
Хотя сопротивление пленок золото - окись тантала и возрастало с нагревом, после соответствующей термообработки, например, 200 ч при 100 С, величина сопротивления выравнивалась и стабилизировалась. [17]
Определение сопротивления пленки затруднено вследствие наличия слоя накипи и возможного присутствия прослойки воздуха; график для случая 5 построен при fit 12900 ккал / м2час С. Коэффициент ht учитывает главным образом влияние слоя накипи. [18]
Измерение сопротивления пленки - простая операция, которая может быть использована для определения толщины проводящих пленок на непроводящих подложках и для полупроводниковых эпитаксиальных слоев. [19]
Подбором сопротивления пленки и выбором расстояния / от пленки до закорачивающего поршня может быть достигнуто полное согласование, соответствующее неотражающей нагрузке. [20]
Рост сопротивления пленки, по-видимому, обусловлен ее упрочнением за счет специфического действия свинца. [21]
Величина сопротивления пленки может меняться под воздействием многих факторов. Поэтому в производстве она должна непрерывно контролироваться. Напыление прекращается, когда сопротивление контрольного резистора достигнет заданной величины. [22]
Изменение сопротивления пленки карбида молибдена может быть вызвано воздействием воздуха, паров воды, находящихся в воздухе, или же процессами старения. [23]
При этом сопротивление пленок варьируется изменением процентного содержания наполнителя. [24]
Термическое же сопротивление пленки определяется механизмом переноса теплоты, зависящим от гидродинамической обстановки в пленке и ее толщины. [25]
 |
Измерительный конденсатор гребенчатого типа. [26] |
Для измерения сопротивления пленки непосредственно в процессе напыления рядом с напыляемой подложкой обычно устанавливается квадратный свидетель из изоляционного материала. На его кожухе укреплены широкие плоские контакты из серебра, соединенные с измерительным мостом. Ввиду того, что на практике чаще всего применяются большие скорости напыления, сопротивление пленки за доли секунды может меняться от десятков тысяч до десятых долей ома, в связи с чем к измерительной аппаратуре предъявляются специфические требования. [27]
Полученные значения сопротивления пленок были близки к значениям сопротивления для монокристалла. [28]
Для измерения сопротивления пленок наиболее широко используется 4-зондовый метод. Подобно другим способам измерения толщины пленки, основанным на определении величины сопротивления, он требует, чтобы удельное сопротивление пленки было точно известно и не изменялось бы с толщиной пленки. Эги условия выполняются редко, так как удельное сопротивление пленки сильно зависит от условий напыления и часто отличается от удельного сопротивления объемного материала. Однако его преимущество состоит в том, что он является одним из немногочисленных неразрушающих простых методов, применяемых для измерения толщины проводящих пленок на непроводящих подложках. В некоторых случаях он может быть использован как технологический метод контроля при условии, что пленки не настолько тонкие, чтобы имели место необратимые изменения удельного сопротивления, связанные с выделениями второй фазы и островковым ростом ( см. гл. [29]
Из изменения сопротивления пленок при 80 К после их отжига а воздухе при Т т - 325 С оценена величина Й0кисл - толщина верхнего слоя пленки, не участвующего в проводимости. Результаты расчета Й0кисл Для пленок п - Bii sSbo Tes показаны на рис. 2.31. Как видно из рисунка, толщина с окисл в пленках п - Bii75Sb0 85Te3, напыленных на слюду, ниже, чем в пленках р - Bio 5Sbi5Te3, отожженных при Готж - 315 С. Это, по-видимому, связано с противоположным влиянием донорного эффекта кислорода на потенциальный рельеф в пленках п - и р-типов. [30]
Страницы: 1 2 3 4