Сопротивление - пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
В какой еще стране спирт хранится в бронированных сейфах, а "ядерная кнопка" - в пластмассовом чемоданчике. Законы Мерфи (еще...)

Сопротивление - пленка

Cтраница 3


Из изменения сопротивления пленок при 80 К после их отжига а воздухе при Г0тж 325 С оценена величина йокисл - толщина верхнего слоя пленки, не участвующего в проводимости. Результаты расчета йокисл Для пленок п - Biij75Sbo 25Te3 показаны на рис. 2.31. Как видно из рисунка, толщина ОКисл в пленках п - В11) 75 Ь0 85Те3, напыленных на слюду, ниже, чем в пленках р - Bi0 5Sbij5Te3, отожженных при Г0тж 315 С. Это, по-видимому, связано с противоположным влиянием донорного эффекта кислорода на потенциальный рельеф в пленках п - и р-типов.  [31]

32 Относительное влияние амина на общий коэффициент поглощения для колонны с насадкой [, XIII. 37 ] Расход жидкости 3400 кг / ч-м 2. мольная концентрация СО2 в газе 3 - 5 %. в карбонат превращаютсяЪ % амина. температура процесса 50 С.| Применение уравнения Кя ( А / У для абсорбции COj в тарелочных колоннах [ XVI. 46 ]. [32]

Зависимость коэффициента сопротивления пленки газа от температуры и парциального давления можно выразить в виде простой показательной ( экспоненциальной) функции.  [33]

Температурный коэффициент сопротивления нихро-мовых пленок изменяется в зависимости от толщины их. Однако, как видно из рис. 13 - 6, имеется довольно широкая область значений ХКС, близких к нулю, что весьма важно для их применения.  [34]

Автор предлагает определять сопротивление пленок истирающему действию абразивных материалов, например сухого порошка MgF2, просеянного через сито с определенным размером отверстий. Мерой устойчивости служит число оборотов вращения истирающей подушечки, которое выдерживает покрытие до появления на нем царапины. Метод пригоден для пленок различной толщины и твердости.  [35]

Данные по изменению сопротивления пленок при действии азотной кислоты представлены на рисунке. Эти покрытия не изменяют сопротивления и емкости в течение свыше 400 сут.  [36]

Так как величина сопротивления сверхпроводящей пленки - однозначная функция температуры и не зависит от способа ее нагрева, то с помощью тонкопленочного болометра можно измерить мощность излучения в диапазоне СВЧ.  [37]

Скорость абсорбции определяется сопротивлением пленки жидкости, несмотря даже на быстрое протекание химической реакции второго порядка.  [38]

39 Схема установки сверхцентрифугирования, предназначенной для измерения адгезии и предела прочности на растяжение. [39]

Издавна интерес исследователей вызывает сопротивление пленок истиранию, однако основное внимание уделяется долговечности покрытий. Оказалось, что их сопротивление зависит не только от твердости слоя, но и от его адгезии.  [40]

В то время как сопротивление пленок, полученных сублимированием в очень высоком вакууме 10 - 8 мм), уменьшается, для пленок, полученных при меньшем вакууме ( - 10 - 5 мм), оно увеличивается. Более того, оказалось, что поверхностный потенциал хемосорбированной пленки, определенный фотоэлектрическим методом, положителен в первом и отрицателен во втором случаях. Эти различия были объяснены тем, что пленка, полученная при менее высоком вакууме, содержит загрязнения.  [41]

В этом случае преобладает сопротивление пленки газа и процесс поглощения рпределяется пленкой газа.  [42]

Факторы, влияющие на сопротивление маслянолаковых пленок. Майтленд пришел к заключению, что сопротивление лаковых пленок зависит: от температуры, с повышением которой сопротивление снижается; от проникновения воды в пленку, сопровождающегося увеличением числа ионов, что проявляется в повышении диэлектрической проницаемости; от ионного обмена, в результате которого водородные ионы, первоначально присутствующие в пленке, заменяются ионами калия, что приводит к снижению сопротивления.  [43]

44 Параметры дипольно-сегментального процесса сетчатых ПОЭ. [44]

Вначале происходит резкое нарастание сопротивления пленок, а начиная с некоторых достаточно высоких значений Мп, величина р асимптотически, приближается к постоянным значениям. Объясняется это повышением плотности и изменением микроструктуры пленки, что влечет за собой уменьшение подвижности заряженных частиц и их числа.  [45]



Страницы:      1    2    3    4