Cтраница 3
Эквивалентная схема для первой реакции представлена на рис. 9, в, где сопротивление реакции для стадии VII изображено особым способом, с тем чтобы разделить источники электронов из металла и атомов водорода из адсорбционной псевдоемкости С. [31]
Расстояние же между соответствующими нарами прямых ( рис. 3), которое должно выражать сопротивление реакции, действительно не зависит от частоты, так как такие прямые оказались параллельными. [32]
Этот последний факт позволяет провести первое знакомство с соотношениями между величинами отдельных диффузионных сопротивлений и сопротивлений реакции. Такой электрод с двойным слоем можно попытаться заменить идеальной пористой системой, в которой отдельные поры заполнены жидкостью на глубину 12 d; d - толщина мелкопористого слоя. Согласно уравнению (3.41), на любой активной области поверхности пор происходит установление равновесия между о-фазой, электролитом и молекулярным водородом, растворенным в электролите, причем электрохимическое равновесие между о-фазой и электролитом выражается разностью потенциалов в соответствующем месте. [33]
Этот последний факт позволяет провести первое знакомство с соотношениями между величинами отдельных диффузионных сопротивлений и сопротивлений реакции. Такой электрод с двойным елоем можно попытаться заменить идеальной пористой системой, в которой отдельные поры заполнены жидкостью на глубину 72 d; d - толщина мелкопористого слоя. Согласно уравнению (3.41), на любой активной области поверхности пор происходит установление равновесия между о-фазой, электролитом и молекулярным водородом, растворенным в электролите, причем электрохимическое равновесие между о-фазой и электролитом выражается разностью потенциалов в соответствующем месте. [34]
Этот последний факт позволяет провести первое знакомство с соотношениями между величинами отдельных диффузионных сопротивлений и сопротивлений реакции. Такой электрод с двойным слоем можно попытаться заменить идеальной пористой системой, в которой отдельные поры заполнены жидкостью на глубину 12 d; d - толщина мелкопористого слоя. Согласно уравнению (3.41), на любой активной области поверхности пор происходит установление равновесия между о-фазой, электролитом и молекулярным водородом, растворенным в электролите, причем электрохимическое равновесие между о-фазой и электролитом выражается разностью потенциалов в соответствующем месте. [35]
Над границей трех фаз наряду с диффузией в о-фазе имеет место обмен со свободной газовой фазой непосредственно через сопротивление реакции. [36]
Как видно из рис. 10, для смеси рутила с B - Sm203 при увеличении температуры происходит монотонное уменьшение сопротивления реакции в целом и отдельных ее стадий. [37]
Коэффициент пропорциональности R, имеющий размерность электрического сопротивления, назовем эквивалентным сопротивлением действия реакции якоря или, кратко, сопротивлением реакции якоря. В общем случае величина R я зависит от тока 7 якоря. В анализе работы ЭМУ влияние последних оценим их средними значениями. [38]
Приведенная форма зависимости ( 19) позволяет провести линейную экстраполяцию к рассчитанному значению равновесного потенциала и таким образом определить величину сопротивления реакции. [39]
Советский Союз и НДРЙ выступают в поддержку народа Демократической Республики Афганистан, который уверенно идет избранным им путем прогрессивных преобразований, преодолевая сопротивление внутренней и внешней реакции. Они требуют прекращения подрывных действий и вмешательства извне в дела этой страны. [40]
![]() |
Определение зоны Фраудго-фера. [41] |
Акустическая антенна как механико-акустическая система характеризуется с механической стороны - ее механическим сопротивлением, состоящим из механического сопротивления колеблющегося устройства, излучающего звук, и сопротивления реакции звукового поля-сопротивления излучения. С акустической стороны антенна характеризуется ее акустической чувствительностью и коэффициентами направленности и концентрации излучения. Акустические характеристики определяются для дальней зоны ( рис. 4.3) - зоны Фраунгофера. [42]
![]() |
Треугольники трех -, двух - и однофазного коротких замыканий. [43] |
Как указывалось выше, насыщение главной магнитной цепи весьма мало сказывается на величине индуктивных сопротивлений рассеяния х я, нулевой последовательности д - 0 и обратной последовательности х2, но значительно влияет на величину сопротивления реакции якоря хаа, а тем самым и на величину индуктивного сопротивления прямой последовательности i xd хса хаа. В полученных выше выражениях для токов несимметричных коротких замыканий величина сопротивления х1 становится поэтому не-сколько неопределенной, что затрудняет получение достаточно точных значений токов короткого замыкания по этим выражениям. Это затруднение, при необходимости уточнить величины токов несимметричных коротких замыканий, можно обойти рассматриваемым ниже методом, который базируется на характеристике холостого хода, отражающей насыщение магнитной цепи. [44]
Коэффициент пропорциональности р ( единицы Ом - м2) играет формально такую же роль, как электрическое сопротивление ( рассчитанное на единицу сечения) в уравнении для закона Ома, поэтому его иногда называют сопротивлением реакции. Однако природа этого сопротивления не омическая. [45]