Cтраница 2
![]() |
Диаграмма истинных напряжений отожженного технического железа. [16] |
Замещение собственного атома в кристаллической решетке на чужеродный, как и образование вакансии, создает барьеры ближнего действия. Однако легирование вызывает ряд косвенных эффектов: может изменяться межатомное взаимодействие как по величине, так и по характеру, что изменяет сопротивление кристаллической решетки движению дислокаций. Введение чужеродных атомов изменяет вртя релаксации вакансий и, следовательно, избыточную концентрацию вакансий. Легирование, поскольку при этом меняется энергия дефектов упаковки, может увеличивать плотность дислокаций и изменять их свойства. При легировании могут возникать малоугловые границы, меняются константы упругости и диффузии и, наконец, условия фазовых превращений. Это непосредственно или косвенно может оказать влияние на прочность твердого раствора. Как правило, легирование приводит к увеличению сопротивления пластической деформации. [17]
Возможность диссоциации винтовой дислокации на частичные, расположенные в металлах с о. В этом случае высокое сопротивление движению дислокаций обусловлено необходимостью стягивания расщепленной дислокации с последующей рекомбинацией и образованием перетяжек, способных скользить в кристаллической решетке, поскольку эти процессы связаны со значительным увеличением энергии дислокации. Модель диссоциации и рекомбинации винтовых дислокаций удовлетворительно объясняет температурную зависимость сопротивления кристаллической решетки движению дислокации, высокий уровень напряжения течения при О К для о. Атомы внедрения могут стабилизировать сидячую дислокационную конфигурацию и понижать вероятность образования перетяжки на расщепленной дислокации, что приводит к возрастанию напряжения Пайерлса при увеличении концентрации примесей внедрения. [18]
Считается, что сильная температурная зависимость напряжения у о. Однако это должно относиться лишь к верхнему пределу текучести. К нижнему пределу текучести и к напряжению течения это положение вряд ли применимо, так как в обоих случаях дислокации оказываются разблокированными, и сопротивление их движению может быть связано только либо с частицами вторых фаз, либо с сопротивлением кристаллической решетки. [19]