Изготовление - транзистор
Cтраница 2
 |
Активные элементы интегральных схем. о - диод. б - транзистор. [16] |
Процесс изготовления транзисторов ( рис. 52, б) диффузионным методом предусматривает подготовку основания, получение диффузионного слоя и коллекторного перехода р - я-типа, нанесение эмиттера, базы и коллектора. На основание из кремния р-типа наносится диффузионный слой - типа. Эмиттерный электрод изготовляют из материала р-типа, например, из алюминия. Базовый электрод - из материала n - типа, например, из золота с добавлением примеси. В качестве коллектора используется полупроводниковое основание схемы р-типа. Планарный метод изготовления транзисторов предусматривает расположение переходов эмиттер - база и коллектор - база на одной плоскости основания схемы. [17]
 |
Разрез сплавного плоскостного германиевого транзистора типа р-п - р ( стрелками показаны пути дырок, движущихся под действием диффузии. [18] |
При изготовлении транзистора базу делают тонкой и бедной основными носителями, а площадь коллекторного перехода-в несколько раз большей площади эмиттерного. При этом, как показано на рис. 4.3, на коллектор попадает большинство инжектируемых дырок, движущихся под действием диффузии в направлении уменьшения своей концентрации. [19]
 |
Схемы включения транзистора.| Схема токопрохождения в транзисторе типа р-п - р. [20] |
При изготовлении транзисторов эмиттерную область выполняют с лучшей электропроводностью и большей ( раз в 100) концентрацией основных носителей тока, чем базовую. [21]
При изготовлении транзисторов осуществляется, кроме того, ряд других технологических операций, связанных с получением заготовок монокристаллических полупроводниковых пластин, с удалением в процессе изготовления транзисторов различных участков полупроводниковых кристаллов, с созданием контактов, со сборкой и др. В настоящем разделе мы упомянем о некоторых, наиболее существенных из этих операций. [22]
 |
Схемы включения транзисторов.| Пример включения транзистора в схему с общей базой. [23] |
При изготовлении транзистора добиваются того, чтобы удельная проводимость базы была намного меньше удельной проводимости эмиттера. [24]
При изготовлении транзисторов по единой технологии в силу разброса электрофизических параметров исходных полупроводниковых материалов, разброса технологических режимов и наличия большого числа случайных факторов изготавливаемые транзисторы, как правило, имеют существенный разброс основных параметров. Поэтому транзисторы классифицируются ( подразделяются на группы) по интервальным значениям параметров или их сочетанию. Параметры, по которым производится такое подразделение, называются классификационными. Система классификационных параметров может быть различной для транзисторов различных функциональных назначений. ГР - аналог ил ( см. § 2.2.4) ( или другие предельно допустимые напряжения), коэффициент передачи тока базы для большого / i2iэ и малого Л2 Э сигналов, постоянный обратный ток коллектора / КБО при разомкнутой цепи база - эмиттер. [25]
При изготовлении транзисторов диффузионным методом концентрация примеси в базе получается более высокой у эмиттера, что снижает омическое сопротивление базы г §, и более низкой у коллекторного перехода, что уменьшает его емкость; одновременно повышается пробивное напряжение коллектора. [26]
При изготовлении транзистора в области эмиттера создают большую концентрацию акцепторов, а в базе - значительно меньшую концентрацию доноров. [27]
При изготовлении транзисторов методом вплавления в пластинку n - Ge вплавляются индиевые электроды. При охлаждении у границы с металлом образуются тонкие слои с большой концентрацией акцептора - индия и соответственно с большой концентрацией дырок. Этот слой называется базой. Соответственно / ( - область, откуда дырки вводятся в базу, называется эмиттером, а вторая, куда дырки собираются из базы - коллектором. [28]
 |
Устройство сплавного транзистора.| Условные обозначения транзистора р-п - р-типа и п-р-п-типа. [29] |
Основой для изготовления транзистора, как и для изготовления полупроводникового диода, служит пластинка монокристалла германия или кремния площадью 2 - 4 мм2 и толщиной около 100 мкм. Операция изготовления транзистора может быть подобной операции изготовления диода с тем лишь принципиальным отличием, что на кристаллы германия накладывается индий не с одной, а с двух сторон. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5