Сопротивление - тензорезистор
Cтраница 1
 |
Электрическая схема включения тензорезистора при тарировке. [1] |
Сопротивление тензорезистора и приращение его сопротивления при деформации тарировочной балки определяются с точностью до 0 001 Ом при помощи моста Уитстона. В начале тарировки фиксируется нулевой отсчет по сбалансированному прибору при первоначальном прогибе балки. Затем параллельно тарируемому тензоре-зистору ( тарировка на растяжение) либо компенсационному сопротивлению RK ( тарировка на сжатие) включается сопротивление Rm согласно схеме, показанной на рис. 30, после чего балка нагружается до уравновешивания измерительного моста и регистрируется прогиб балки, определяющий величину относительной деформации в месте установки тензорезистора. [2]
Сопротивление тензорезистора должно составлять здесь 300 Ом. Из-за теплового расширения испытуемого образца для подобных случаев могут применяться тензорезисторы с температурной компенсацией, специально рассчитанной для данного материала. Если тензорезистор или соответственно ИП с тензорезистором подключается к измерительному прибору через двухпроводной кабель, как показано на фиг. [3]
Сопротивления тензорезисторов для этих трех групп находятся соответственно в пределах 50 - 100 Ом, 100 - 400 Ом и выше 400 Ом. В обычном исполнении проволочные тензорезисторы могут использоваться для измерений при температурах от - 40 до 70 С. [4]
 |
Деформационные характеристики кремниевых тензорезисторов с проводимостью р - и п-типа. [5] |
Величина сопротивления тензорезистора меняется при изменении сил деформации, поэтому для характеристики тензорезистора вводится сопротивление Яном, называемое номинальным. Оно соответствует сопротивлению без деформации при температуре 20 С. [6]
Изменение сопротивления тензорезистора, вызванное деформацией. В зависимости от измеряемого процесса показания прибора могут сниматься либо визуально по шкале прибора, что обычно практикуют при статическом тензометрировании, либо записываться на бумагу или пленку осциллографа. Такая запись показаний тензорезисторов производится как при статическом, так и при динамическом тензометрировании. В последнем случае запись в виде осциллограмм изображает процесс изменения деформации в функции от времени. [7]
Изменение сопротивления тензорезистора, вызванное деформацией, не превышает нескольких десятых долей ома. Для измерения этих небольших изменений сопротивления в электротензометрии используют две схемы-потенциометрическую и мостовую. Он состоит из четырех последовательно соединенных сопротивлений Ru R2, R3, R4, источника питания, который подключается к одной из диагоналей моста, и регистрирующего прибора ( гальванометра), подключаемого к другой диагонали. При изменении активного сопротивления Rt на AR равновесие моста нарушается и через регистрирующий прибор измерительной цепи проходит ток разбаланса. [8]
 |
Схема измерительного блока преобразователя разности давления с мембранным тензомодулем прибора Сапфир 652ДД.| Функциональная схема блока питания БПЗ-24 прибора Сапфир. [9] |
Изменение сопротивления тензорезисторов, пропорциональное изменению величины измеряемого параметра, преобразуется с помощью встроенного электронного устройства в токовый выходной сигнал ( 4 - 20 мА) первичного преобразователя. Чувствительный элемент тензомодуля - пластина из монокристаллического сапфира с кремниевыми пленочными тензорезисторами, прочно соединенная с металлической мембраной. [10]
Изменение сопротивления тензорезисторов обычно определяют с помощью мостовой схемы, в которой одно, два или четыре плеча образованы тензорезисторами. Мостовая схема питается переменным током, частота которого значительно выше наибольшей из измеряемых частот вибрации. [11]
Изменение сопротивления тензорезисторов объясняется двумя факторами: изменением его геометрических размеров и удельного сопротивления материала при деформации. [12]
 |
Мостовая схема включения тен-зорезисторов. [13] |
Для выравнивания сопротивлений тензорезисторов, которые неизбежно имеют некоторый разброс, в плечи моста последовательно включают термочувствительные сопротивления ед и балансировочные RQ. Таким путем исключают влияние температурного изменения сопротивления тензорезисторов, а также температурных деформаций упругого элемента. [14]
Рассмотрим изменение сопротивления тензорезистора от влияния температуры и давления. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5