Сопротивление - тензорезистор
Cтраница 4
Следует отметить, что отсутствует четкая теория о влиянии давления на изменение сопротивления тензорезисторов, поэтому недостаточно точна и оценка погрешности измерения деформаций в условиях давления. [46]
Так как некоторые клеи твердеют только под давлением, то в подобных случаях сопротивление тензорезистора после приклеивания зависит также и от величины давления. Если точка затвердевания клея лежит в области повышенных температур, на изменение сопротивления влияют величины коэффициентов теплового линейного расширения подложки, клея и собственно тензорезистора. [47]
Действие разности давлений вызывает прогиб мембран 8, мембраны тензомодуля 4, изменение сопротивления тензорезисторов. [48]
Преимущество мостовой схемы заключается в том, что с ее помощью измеряют только изменение сопротивления тензорезисторов Rl; R2; R3 и R4, а не общее их сопротивление. [49]
При этом последовательно происходят прогиб мембран 8 и 14, изгиб мембраны тензопреобразователя 4 и изменение сопротивления тензорезисторов. [50]
Алгоритм работы весовых устройств с такими тензоре-зисторными датчиками и измерительными преобразователями, имеющими линейную характеристику преобразования значений сопротивлений тензорезисторов датчика в параметр электрического сигнала, не требует сложных вычислительных операций, но желательными являются простота и низкая стоимость электронной аппаратуры. [51]
Кроме того, наличие поперечных участков длиной 6 ( рис. 5 - 12, а) вызывает изменение сопротивления тензорезистора за счет деформации этих участков при действии на деталь напряжения, перпендикулярного оси чувствительности тензорезистора. [52]
 |
Техническая характеристика преобразователей Сапфир-22 и Сапфир-22 - Ех. [53] |
Измеряемое давление воздействует на мембрану 6 и через жидкость на мембрану тензопреобразователя, вызывая ее прогиб и изменение сопротивления тензорезисторов. [54]
Измеряемое давление воздействует на мембрану 6 и через жидкость воздействует на мембрану тензопреобразователя, вызывая ее прогиб и изменение сопротивления тензорезисторов. [55]
Погрешности тензорезисторов обусловливаются в основном температурой, вызывающей различную деформацию материала проволоки и детали и изменение электри -, ческрго сопротивления тензорезистора, а также градуировкой. [56]
В приборах без защитной разделительной мембраны давление измеряемой среды непосредственно поступает в мембранный тензопреобразователь, вызывает прогиб мембраны и изменение сопротивления тензорезистора. [57]
Согласно (4.33) и (4.34), можно полагать, что изменение сопротивления полупроводникового тензорезистора в наклеенном состоянии образуется из температурного изменения сопротивления неприклеенного тензорезистора ( уь), из изменений, обусловленных температурной зависимостью коэффициента К, что проявляется в продольной деформации е0, и из температурного изменения продольной деформации ео. ППТ, поскольку прочие изменения учитываются сопротивлением RTp и коэффициентом К. Для правильного понимания уравнения (4.33) следует еще особо подчеркнуть зависимость RQ Ro ( Q, К, еМех); при этом К и емех также зависят от температуры. Индекс у еМех указывает на то, что независимыми параметрами считаются только такие продольные деформации, которые возникают под воздействием механического напряжения; следовательно, при одинаковом тепловом расширении объекта измерения и тензорезистора емех будет равно нулю. [58]
Температурная нестабильность, или влияние температуры окружающей среды на основные параметры тензорезисторов, заключается, с одной стороны, в изменении сопротивления тензорезистора за счет его ТКС, а с другой - в появлении дополнительных механических напряжений вследствие различия в температурных коэффициентах линейного расширения материала тензорезистора и исследуемой детали. [59]
Измеряемое давление воздействует на мембрану б и через жидкость передается на мембрану тензопреобразователя 3, вызывая ее прогиб и соответствующее изменение сопротивления тензорезисторов, соединенных в мостовую схему. Электрический сигнал по проводам через герметичный вывод 2 поступает в электронный блок 1, который содержит корректоры для плавной подстройки диапазона и нуля выходного сигнала. При измерении абсолютного давления полость У 0 откачивается и герметизируется. Как при измерении избыточного давления, так и абсолютного давления в данной конструкции измеряемое давление воздействует через жидкость непосредственно на мембрану тензопреобразователя. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5